| 主权项 |
一种成像装置光感测器，其包含：一光敏区，其系形成于一基板内；以及至少一倾斜特征，其系形成于该光敏区内用于将反射光从该光敏区之一部分重新导引至该光敏区之另一部分，该至少一倾斜特征经定位使得不被吸收之光向该成像装置之若干部分散射，该等部分并没有在该光感测器被读取之同一时间时被读取。如请求项1之光感测器，其中该至少一倾斜特征具有一圆锥形组态。如请求项1之光感测器，其中该至少一倾斜特征具有一棱镜形组态。如请求项1之光感测器，其进一步包含形成于该光敏区内的复数个倾斜特征。如请求项4之光感测器，其中在任两个倾斜特征之间的距离大于该光感测器所吸收之光之波长的大约1/4。如请求项5之光感测器，其中任两个相邻倾斜特征之一断面形成一v形。如请求项5之光感测器，其中任两个相邻倾斜特征之一断面形成一半球形。如请求项5之光感测器，其中任两个相邻倾斜特征之一断面在其之间具有一平坦区域。请求项1之光感测器，其中该光感测器系一光二极体感测器。一种用于一成像器装置之光感测器，该光感测器包含：一第一导电型的一第一掺杂层，其系形成于一基板内；一第二导电型的一第二掺杂层，其在该第一掺杂层上面而形成于该基板内，其中该第二掺杂层具有一至少一倾斜特征，其具有用于将反射光从该光敏区之一部分重新导引至该光敏区之另一部分之一倾斜上表面；一第一导电型的一第三掺杂层，其系形成于该至少一倾斜特征之该上表面内，其中该光感测器在该成像器装置经定位使得该至少一倾斜特征向该成像装置之若干部分散射不被吸收之光，该等部分并没有在该光感测器被读取之同一时间时被读取。如请求项10之光感测器，其中该至少一倾斜特征具有一圆锥形组态。如请求项10之光感测器，其中该至少一倾斜特征具有一棱镜形组态。如请求项10之光感测器，其进一步包含形成于该基板内之该第二掺杂层内的复数个倾斜特征。如请求项10之光感测器，其中该第一导电型系p型。如请求项14之光感测器，其中该第二导电型系n型。如请求项13之光感测器，其中在任两个相邻倾斜特征之间的距离大于该光感测器所吸收之光之波长的大约1/4。如请求项16之光感测器，其中任两个相邻倾斜特征之一断面形成一v形。如请求项16之光感测器，其中任两个相邻倾斜特征之一断面形成一半球形。如请求项16之光感测器，其中任两个相邻倾斜特征之一断面在其之间具有一平坦区域。一种成像器装置，其包含：一像素阵列，各包含：一光敏区，其系形成于一基板内；以及至少一倾斜特征，其系形成于该光敏区内用于将来自该光敏区之一部分之反射光重新导引至该光敏区之另一部分，该至少一倾斜特征经定位使得当像素散射该光时，不被吸收之光自一相同列上之该等像素散射出。如请求项20之成像器装置，其中该至少一倾斜特征包含光敏材料。如请求项20之成像器装置，其中该至少一倾斜特征具有一圆锥形组态。如请求项20之成像器装置，其中该至少一倾斜特征具有一棱镜形组态。如请求项20之成像器装置，其进一步包含形成于该光敏区内的复数个倾斜特征。如请求项24之成像器装置，其中在任两个倾斜特征之间的距离大于该光感测器所吸收之光之波长的大约1/4。如请求项25之成像器装置，其中任两个相邻倾斜特征之一断面形成一v形。如请求项25之成像器装置，其中任两个相邻倾斜特征之一断面形成一半球形。如请求项25之成像器装置，其中任两个相邻倾斜特征之一断面在其之间具有一平坦区域。如请求项20之成像器装置，其中该光感测器系一光二极体感测器。一种影像处理器，其包含：一处理器；一像素阵列，其系耦合至该处理器，该像素阵列包含：一光感测器，其具有一光敏区，其中该光敏区在一顶部表面上具有至少一倾斜特征用于将反射光从该光敏区之一部分重新导引至该光敏区之另一部分，该至少一倾斜特征经定位使得当像素散射该光时，不被吸收之光自一相同列上之该等像素散射出。如请求项30之影像处理器，其进一步包含在该顶部表面上的复数个倾斜特征。如请求项30之影像处理器，其中该至少一倾斜特征具有一圆锥形组态。如请求项30之影像处理器，其中该至少一倾斜特征具有一棱镜形组态。一种形成一光感测器用于一影像装置之方法，其包含下列步骤：提供一半导体基板，其具有一第一导电型的一第一掺杂层；形成一第二导电型的一第二掺杂区以定义一光敏区；在该第二掺杂区内形成至少一倾斜特征用于将反射光从该光敏区之一部分重新导引至该光敏区之另一部分，该至少一倾斜特征经定位使得不被吸收之光向该成像装置之若干部分散射，该等部分并没有在该光感测器被读取之同一时间时被读取；以及在该第二掺杂区上形成该第一导电型的一第三掺杂区。如请求项34之方法，其中在该第二掺杂区内形成至少一倾斜特征之该步骤进一步包含生长一牺牲SiO2层并执行一氧化制程。如请求项34之方法，其中在该第二掺杂区内形成至少一倾斜特征之该步骤进一步包含在形成该倾斜特征之后使用一H2处理来处理该基板。如请求项34之方法，其中该第一导电型系p型而该第二导电型系n型。如请求项34之方法，其中在该第二掺杂区内形成至少一倾斜特征之该步骤包含形成至少一圆锥形特征。如请求项34之方法，其中在该第二掺杂区内形成至少一倾斜特征之该步骤包含形成至少一棱镜形特征。如请求项34之方法，其中在该第二掺杂区内形成至少一倾斜特征之该步骤进一步包含形成复数个倾斜特征。 |
