| 主权项 |
一种快闪记忆体，包含：一基底；一记忆体单元串包含复数个储存电晶体，设于该基底上，其中该等储存电晶体分别具有一第一闸极长度；一第一选择闸极电晶体包含一第二闸极长度，串接于该记忆体单元串，其中该第一选择闸极电晶体包含一水平式闸极通道；以及一第二选择闸极电晶体包含一第三闸极长度，串接于该第一选择闸极电晶体，其中该第二选择闸极电晶体包含一凹入式闸极通道。如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体，其中该记忆体单元串包含复数个双位元储存电晶体。如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体，其中该第一闸极长度、第二闸极长度以及第三闸极长度相等。一种快闪记忆体，包含：一基底；一第一主动区域，位于该基底内，其中该第一主动区域上设有串接在同一列上的一第一记忆体单元串包含复数个第一储存电晶体、一第一选择闸极电晶体包含一第一闸极长度以及一第二选择闸极电晶体包含一第二闸极长度，其中，该第一选择闸极电晶体包含一第一水平式闸极通道(horizontal channel)，该第二选择闸极电晶体包含一第一凹入式闸极通道，其中，该等第一储存电晶体分别具有一第三闸极长度；以及一第二主动区域，位于该基底内，其中该第二主动区域上设有串接在同一列上的一第二记忆体单元串包含复数个第二储存电晶体、一第三选择闸极电晶体包含一第四闸极长度以及一第四选择闸极电晶体包含一第五闸极长度，其中，该第三选择闸极电晶体包含一第二凹入式闸极通道，该第四选择闸极电晶体包含一第二水平式闸极通道，其中，该等第二储存电晶体分别具有一第六闸极长度；其中，该第一选择闸极电晶体和该第三选择闸极电晶体排列在同一行上，而该第二选择闸极电晶体和该第四选择闸极电晶体排列在同一行上。如申请专利范围第4项所述之快闪记忆体，其中该第一选择闸极电晶体紧邻该第三选择闸极电晶体。如申请专利范围第4项所述之快闪记忆体，其中该第二选择闸极电晶体紧邻该第四选择闸极电晶体。如申请专利范围第4项所述之快闪记忆体，其中该第一记忆体单元串包含复数个第一双位元储存电晶体单元。如申请专利范围第4项所述之快闪记忆体，其中该第二记忆体单元串包含复数个第二双位元储存电晶体单元。如申请专利范围第4项所述之快闪记忆体，其中该第四闸极长度、第五闸极长度以及第六闸极长度相等。如申请专利范围第4项所述之快闪记忆体，其中该第一闸极长度、第二闸极长度以及第三闸极长度相等。 |
