| 主权项 |
一种n+-型多晶矽薄膜发射层之制备方法，其至少包括下列步骤：(A)选择一三氧化二铝陶瓷基板，且该三氧化二铝陶瓷基板上系披覆一层钛基金属化合物薄膜、一p+-型多晶矽薄膜背面电场层(Back Surface Field,BSF)及一p--型多晶矽薄膜光吸收层；(B)利用一常压式化学气相沉积设备方法(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition,APCVD)，将一磷化氢(Phosphine,PH3)气体于该p--型多晶矽薄膜光吸收层表面进行n+-型扩散沉积；以及(C)形成一披覆在p--型多晶矽薄膜光吸收层上之n+-型多晶矽薄膜发射层(n+-pc Si：P emitter)。依申请专利范围第1项所述之n+-型多晶矽薄膜发射层之制备方法，其中，该钛基金属化合物薄膜系可以二矽化钛(TiSi2)、氮化钛(TiN)、碳化钛(TiC)、二硼化钛(TiB2)或碳氮化钛(TiCxNy)等金属化合物为薄膜材料。依申请专利范围第1项所述之n+-型多晶矽薄膜发射层之制备方法，其中，该钛基金属化合物薄膜之厚度系为1000埃()至5000埃。依申请专利范围第1项所述之n+-型多晶矽薄膜发射层之制备方法，其中，该钛基金属化合物薄膜系作为背电极(Back Contact)，并具有多晶矽薄膜种子层功能。依申请专利范围第1项所述之n+-型多晶矽薄膜发射层之制备方法，其中，该三氧化二铝陶瓷基板之厚度系为0.1毫米(mm)至1.0毫米。依申请专利范围第1项所述之n+-型多晶矽薄膜发射层之制备方法，其中，该p+-型多晶矽薄膜背面电场层之厚度系小于或等于1微米(μm)。依申请专利范围第1项所述之n+-型多晶矽薄膜发射层之制备方法，其中，该p--型多晶矽薄膜光吸收层之厚度系1微米至15微米，且其晶粒尺寸大小系大于10微米。依申请专利范围第1项所述之n+-型多晶矽薄膜发射层之制备方法，其中，该扩散温度系为800℃至1000℃。依申请专利范围第1项所述之n+-型多晶矽薄膜发射层之制备方法，其中，该n+-型多晶矽薄膜发射层之厚度系小于1000埃。依申请专利范围第1项所述之n+-型多晶矽薄膜发射层之制备方法，其中，该n+-型多晶矽薄膜发射层系掺杂有1018至1019磷原子/立方厘米之浓度。 |
