| 摘要 |
<p>L'invention concerne selon un premier aspect une cellule mémoire Flash (1, 10) composée d'un transistor FET à grille flottante (10, 20) sur un substrat semi-conducteur sur isolant comprenant une couche mince de matériau semi-conducteur séparée d'un substrat de base (5) par une couche isolante (BOX), le transistor disposant dans la couche mince d'un canal (4), caractérisée en ce qu'elle comporte deux grilles de contrôle, une grille de contrôle avant (12, 22) étant disposée au-dessus de la grille flottante (10, 20) et séparée de celle-ci par un diélectrique inter-grilles (13, 23) et une grille de contrôle arrière (6, 34-37) étant disposée dans le substrat de base (5) et séparée du canal (4) par la couche isolante (BOX), les deux grilles de contrôle (10, 20 ; 6, 34-37) étant destinées à être utilisées conjointement pour réaliser une opération de programmation de la cellule. L'invention s'étend également à une matrice mémoire comprenant une pluralité de cellules mémoires selon le premier aspect de l'invention ainsi qu'à un procédé de fabrication d'une telle cellule mémoire.</p> |
