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发明名称 SCHOTTKY DIODE STRUCTURE WITH ENHANCED BREAKDOWN VOLTAGE
摘要
申请公布号 HK1109496(A1) 申请公布日期 2011.06.10
申请号 HK20070114347 申请日期 2007.12.31
申请人 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C. 发明人 ANTONIN ROZSYPAL
分类号 H01L 主分类号 H01L
代理机构 代理人
主权项
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