PROCEDIMIENTO DE CORTE DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR.

摘要

Procedimiento de corte de un substrato semiconductor para cortar un substrato semiconductor (1) que presenta una cara anterior (3) formada por una pluralidad de dispositivos funcionales (15) a lo largo de líneas dispuestas a modo de malla que discurren entre los dispositivos funcionales adyacentes (15), para fabricar un dispositivo semiconductor que presenta uno de los dispositivos funcionales (15), comprendiendo el procedimiento las etapas de: unir una película protectora (18) a la cara anterior (3) del substrato semiconductor (1), de manera que los dispositivos funcionales (15) queden cubiertos, caracterizado por el hecho de irradiar el substrato semiconductor (1) con luz láser mientras se posiciona un punto convergente de luz dentro del substrato semiconductor (1) con una cara posterior (17) del substrato semiconductor actuando como cara incidente de luz láser tras la etapa de unir la película protectora (18), para formar una zona modificada (13), y provocar que la zona modificada (13) forme una zona de inicio del corte (8) en la línea a lo largo de la cual ha de cortarse el substrato semiconductor (1) en el interior una distancia predeterminada desde la cara incidente de luz láser; unir un elemento de sujeción expansible (21) a la cara posterior (17) del substrato semiconductor por medio de una capa de resina de fijación del chip (23) después de formar la zona de inicio del corte (8); cortar el substrato semiconductor y la capa de resina de fijación del chip (23) desde las zonas de inicio del corte (8) a lo largo de cada una de las líneas de la malla expandiendo el elemento de sujeción (21) después de unir el elemento de sujeción (21), para obtener una pluralidad de chips semiconductores (25) presentando cada uno una cara anterior formada por el dispositivo funcional (15) y presentando una pieza cortada de la capa de resina de fijación del chip (23) en contacto directo con una cara posterior de la misma; y montar el chip semiconductor (25) sobre un soporte del chip de un marco de conexión (27) por medio de la pieza cortada de la capa de resina de fijación del chip (23) en contacto directo con su cara posterior para obtener el dispositivo semiconductor.