| 摘要 |
<p>L'invention concerne un support pour l'épitaxie d'une couche (4) d'un matériau de composition AlxInyGa(1-x-y)N, où 0≤x≤1, 0≤y≤1 et x+y≤1, comprenant : - un substrat support (10), - une couche de collage (2), - une couche germe (3) monocristalline pour la croissance épitaxiale de ladite couche (4), dans lequel : - le matériau du substrat support (10) présente une résistivité électrique inférieure à 10-3 ohm.cm et une conductivité thermique supérieure à 100 W.m-1.K-1, - la couche germe (3) est en un matériau de composition AlxInyGa(1-x-y)N, où 0≤x≤1, 0≤y≤1 et x+y≤1, - la résistance de contact spécifique entre la couche germe (3) et la couche de collage (2) est inférieure ou égale à 0,1 ohm.cm-2, - les matériaux du substrat support, de la couche de collage et de la couche germe sont réfractaires à une température supérieure à 750 °C.</p> |
