| 发明名称 |
PHASE CHANGE MEMORY MATERIALS |
| 摘要 |
<p>Phase change memory materials and more particularly GeAs telluride materials useful for phase change memory applications, for example, optical and electronic data storage are described.</p> |
| 申请公布号 |
KR20110059732(A) |
申请公布日期 |
2011.06.03 |
| 申请号 |
KR20117007093 |
申请日期 |
2009.08.28 |
| 申请人 |
CORNING INCORPORATED |
发明人 |
AITKEN BRUCE G.;SMITH CHARLENE M. |
| 分类号 |
H01L45/00;G11B7/243;G11B7/253 |
主分类号 |
H01L45/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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