| 主权项 |
一种高压低导电阻之金氧半导体元件，包含有：一基板，其一表面系形成一汲极层；一第一介电层，系以间隔方式形成在该基板的另一表面，相邻第一介电层之间形成间隙；一磊晶半导体层，系填满各限流层之间的间隙且覆盖于部分限流层的表面，该磊晶半导体层系形成有复数沟槽，各沟槽向下延伸至未被磊晶半导体层覆盖之第一介电层之顶部；复数布植区，系根据已定义之闸极位置形成在该磊晶半导体层内部，该复数布植区与该磊晶半导体层系具有相异之导电性；一第二介电层，系覆盖于该磊晶半导层的表面；复数个第一闸极电极，系形成于该第二介电层的表面且分别对应在前述各个布植区的上方，于各第一闸极电极的表面系包覆一绝缘层；一源极金属层，系填充于该些沟槽内，且覆盖于该第二介电层及绝缘层之表面。如申请专利范围第1项所述高压低导电阻之金氧半导体元件，于该第一介电层内部系进一步具有复数个第二闸极电极，该复数个第二闸极电极系分别对应在前述各个布植区的下方。如申请专利范围第1或2项所述高压低导电阻之金氧半导体元件，该基板为一N型半导体基板，该磊晶半导体层为一N型半导体磊晶层，该布植区为P型布植区。如申请专利范围第3项所述高压低导电阻之金氧半导体元件，该第一介电层及第二介电层为氧化物层。如申请专利范围第4项所述高压低导电阻之金氧半导体元件，该绝缘层为氧化物层。一种高压低导电阻之金氧半导体元件，包含有：一基板，其一表面系形成一汲极层；一第一介电层，系以间隔方式形成在该基板表面，相邻第一介电层之间形成间隙；一磊晶半导体层，系填满各限流层之间的间隙且覆盖于部分限流层的表面，该磊晶半导体层系形成有复数沟槽，各沟槽向下延伸至未被磊晶半导体层覆盖之第一介电层之顶部；复数布植区，系根据已定义之闸极位置形成在该磊晶半导体层内部，该复数布植区与该磊晶半导体层系具有相异之导电性；一第二介电层，系覆盖于该磊晶半导层的表面；复数个第一闸极电极，系形成于该第一介电层内部且分别对应在前述各个布植区的下方；一源极金属层，系填充于该些沟槽内，且覆盖于该第二介电层之表面。如申请专利范围第6项所述高压低导电阻之金氧半导体元件，该基板为一N型半导体基板，该磊晶半导体层为一N型半导体磊晶层，该布植区为P型布植区。如申请专利范围第7项所述高压低导电阻之金氧半导体元件，该第一介电层及第二介电层为氧化物层。 |
