| 主权项 |
一种接触洞制程，包含有：提供一半导体基底，其上具有至少一导电区域；于该半导体基底以及该导电区域上沈积一介电层；于该介电层上涂布一蚀刻抵挡层；于该蚀刻抵挡层上涂布一含矽层；于该含矽层上涂布一光阻层；进行一微影制程，于该光阻层中形成一第一开口，其具有一显影后关键尺寸(ADICD)；利用该光阻层作为一蚀刻遮罩，经由该第一开口蚀刻该含矽层，以于该含矽层中形成一具有渐缩倾斜侧壁之第二开口，其底部具有一蚀刻后关键尺寸(AEICD)，且该AEICD约为该ADICD的40%至80%；以及分别利用该含矽层以及该蚀刻抵挡层做为蚀刻遮罩，经由该第二开口蚀刻该蚀刻抵挡层以及该介电层，以于该介电层中形成一接触洞，暴露出部分的该导电区域。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中该蚀刻抵挡层包含有novolac型酚醛树脂(novolac resin)。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中该蚀刻抵挡层包含有i-line光阻。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中该蚀刻抵挡层的厚度介于1500埃至3000埃之间。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中该含矽层其成分为含矽之有机高分子聚合物(organosilicon polymer)或聚矽物(polysilane)。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中该含矽层系利用一旋转涂布(spin-on coating)法形成在该蚀刻抵挡层上。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中涂布完该含矽层后，另包含有一烘烤固化制程。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中该含矽层的矽含量介于重量百分比5%至30%之间。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中该含矽层的厚度介于150埃至1100埃之间。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中经由该第一开口蚀刻该含矽层的蚀刻制程系利用全氟甲烷(tetrafluoromethane,CF4)气体以及一含氢的氟烷气体作为蚀刻气体。如申请专利范围第10项所述之接触洞制程，其中该含氢的氟烷气体为CHxFy，其中，x=1、2、3；y=1、2、3。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中该光阻层的厚度小于该蚀刻抵挡层的厚度。如申请专利范围第12项所述之接触洞制程，其中该光阻层的厚度介于600埃至2200埃之间。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中该光阻层为193奈米光阻。如申请专利范围第1项所述之接触洞制程，其中该含矽层系为一含矽硬遮罩及抗反射(SHB)层。一种接触洞制程，包含有：提供一半导体基底，其上具有至少一导电区域；于该半导体基底以及该导电区域上沈积一介电层；于该介电层上涂布一下层光阻层；于该下层光阻层上涂布一含矽层；于该含矽层上涂布一上层光阻层，该上层光阻层的厚度小于该下层光阻层的厚度；进行一微影制程，于该上层光阻层中形成一第一开口；利用该上层光阻层作为一蚀刻遮罩，经由该第一开口蚀刻该含矽层，以于该含矽层中形成一渐缩之第二开口；以及分别利用该含矽层以及该下层光阻层做为蚀刻遮罩，经由该第二开口蚀刻该下层光阻层以及该介电层，以于该介电层中形成一接触洞，暴露出部分的该导电区域。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中该下层光阻层包含有novolac型酚醛树脂(novolac resin)。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中该下层光阻层包含有i-line光阻。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中该下层光阻层的厚度介于1500埃至3000埃之间。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中该SHB层其成分为含矽之有机高分子聚合物(organosilicon polymer)或聚矽物(polysilane)。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中该SHB层系利用一旋转涂布(spin-on coating)法形成在该下层光阻层上。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中涂布完该SHB层后，另包含有一烘烤固化制程。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中该SHB层的矽含量介于重量百分比5%至30%之间。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中该SHB层的厚度介于150埃至1100埃之间。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中经由该第一开口蚀刻该SHB层的蚀刻制程系利用全氟甲烷(tetrafluoromethane,CF4)气体以及一含氢的氟烷气体作为蚀刻气体。如申请专利范围第25项所述之接触洞制程，其中该含氢的氟烷气体为CHxFy，其中，x=1、2、3；y=1、2、3。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中该上层光阻层的厚度介于600埃至2200埃之间。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中该上层光阻层为193奈米光阻。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中该介电层上另形成有一蚀刻停止层。如申请专利范围第29项所述之接触洞制程，其中该蚀刻停止层包含有氮化矽。如申请专利范围第16项所述之接触洞制程，其中该含矽层系为一含矽硬遮罩及抗反射(SHB)层。 |
