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一种内嵌沟渠式井区电场屏护功率金氧半场效电晶体结构(MOSFET)，系由复数单位晶胞(single cell)所组成，且该等单位晶胞之任其一结构包含：一基板；一磊晶层，系设置于该基板之一侧，且该磊晶层具有一闸极沟渠与一源极沟渠；一第一屏护井区，系布植于该磊晶层中，且该第一屏护井区包覆该闸极沟渠与该源极沟渠；一第二屏护井区，系布植于该磊晶层中，且该第二屏护井区设置于该源极沟渠底部或包覆该源极沟渠；一基体接面，系设置于该第一屏护井区之一侧，且该基体接面系于该源极沟渠二侧具有一重掺杂区；一源极接面，系设置于该基体接面之一侧，且该源极接面系设置于该闸极沟渠二侧；以及一绝缘层，系设置于该源极接面之一侧，且该绝缘层填入该闸极沟渠与该源极沟渠。如申请专利范围第1项所述之功率金氧半场效电晶体结构，包含一闸极电极及/或一源极电极。如申请专利范围第2项所述之功率金氧半场效电晶体结构，其中该第一屏护井区系i>N/i>型屏护井区。如申请专利范围第3项所述之功率金氧半场效电晶体结构，其中该第二屏护井区系P型屏护井区、ν型屏护井区、或π型屏护井区之其一。如申请专利范围第3项所述之功率金氧半场效电晶体结构，其中该第二屏护井区系透过该源极沟渠，并经由多次性布植，用以形成多层的该第二屏护井区。如申请专利范围第3项所述之功率金氧半场效电晶体结构，其中该第二屏护井区系透过该源极沟渠，并局部性布植且未驱入，用以形成在该第一屏护井区。如申请专利范围第1项所述之功率金氧半场效电晶体结构，其中该第二屏护井区系透过该源极沟渠，并局部性布植且未驱入，用以形成在该第一屏护井区与该磊晶层。如申请专利范围第1项所述之功率金氧半场效电晶体结构，其中该重掺杂区与该源极接面之至少其一部分系未受到该绝缘层包覆。如申请专利范围第8项所述之功率金氧半场效电晶体结构，其中该重掺杂区、该源极接面之至少其一部分、与该源极沟渠形成一源极接点区。如申请专利范围1至9项之任一项所述之功率金氧半场效电晶体结构，其中该基体接面系P型基体接面、该源极接面系N+型源极接面与该重掺杂区系P+型重掺杂区。 |
