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一种光阻膜去除装置，系利用臭氧水剥离业已形成于基板上之光阻膜，包含：机台，系形成有平滑之上面，且在前述上面设有可收容基板之第1凹部；盖构件，系形成有与前述机台上面相向之平滑相向面，且在该相向面设有第2凹部，并配置成前述第2凹部之边缘部抵接于前述机台上面，且密封前述第2凹部；及供给部及排出部，系与前述第2凹部相连通，且隔着前述第1凹部分别配置于两侧。如申请专利范围第1项之光阻膜去除装置，其中前述第1凹部的深度与所收容之基板的厚度大致相等。如申请专利范围第1项之光阻膜去除装置，其中前述供给部及排出部系朝与前述机台上面大致垂直之方向延伸，且两者皆形成于前述盖构件，又，前述供给部及排出部之开口附近皆朝向前述第1凹部且截面形成为圆弧状。如申请专利范围第1项之光阻膜去除装置，其中前述第2凹部之深度系在0.3mm~0.5mm之范围。如申请专利范围第1项之光阻膜去除装置，其中于前述第1凹部设有可使收容之基板之上面与前述机台上面大致为同一面之厚度调整构件。如申请专利范围第1项之光阻膜去除装置，其中前述盖构件系安装成可相对于前述机台相对地旋转。一种光阻膜去除方法，系利用臭氧水剥离业已形成于基板上之光阻膜，且包括下列步骤：将基板收容于形成于机台之平滑上面之第1凹部；将形成有与前述机台上面相向之平滑相向面且在该相向面设有第2凹部之盖构件配置成使前述第2凹部之边缘部抵接于前述机台上面，且密封前述第2凹部；及使臭氧水透过与前述第2凹部相连通且隔着基板分别配置于两侧之供给部及排出部通过前述基板的表面与前述盖构件的相向面之间，又，将通过前述基板之表面中央之臭氧水的流速设定在0.1~1.0m/s。如申请专利范围第7项之光阻膜去除方法，更包括下述步骤：预先加热通过前述基板的表面与前述盖构件的相向面之间的臭氧水。 |
