| 主权项 |
一种发光二极体晶片之封装方法，其包括下列步骤：提供一基板单元，其具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上之一正极导电轨迹与一负极导电轨迹；透过矩阵的方式，分别设置复数个发光二极体晶片于该基板本体上，以形成复数排纵向发光二极体晶片排，其中每一个发光二极体晶片系具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹之一正极端与一负极端；透过一第一模具单元，将复数条条状封装胶体纵向地分别覆盖在每一排纵向发光二极体晶片排上，其中每一条条状封装胶体之上表面系具有复数个相对应该等发光二极体晶片之胶体弧面；沿着每两个纵向发光二极体晶片之间，横向地切割该等条状封装胶体，以形成复数个彼此分开地覆盖于每一个发光二极体晶片上之封装胶体，其中每一个封装胶体的上表面系为该胶体弧面，并且每一个封装胶体系具有一形成于该胶体弧面前端之胶体出光面；透过一第二模具单元，将一框架单元覆盖于该基板本体及该等封装胶体上并且填充于该等封装胶体之间；以及沿着每两个纵向发光二极体晶片之间，横向地切割该框架单元及该基板本体，以形成复数条光棒，并且使得该框架单元被切割成复数个只让每一条光棒上之所有封装胶体的该等胶体出光面露出之框架层。如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该基板单元系为一印刷电路板、一软基板、一铝基板、一陶瓷基板、或一铜基板。如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该正、负极导电轨迹系为铝线路或银线路。如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中每一个发光二极体晶片之正、负极端系透过两相对应之导线并以打线的方式，以与该基板单元之正、负极导电轨迹产生电性连接。如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中每一个发光二极体晶片之正、负极端系透过复数个相对应之锡球并以覆晶的方式，以与该基板单元之正、负极导电轨迹产生电性连接。如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中每一排纵向发光二极体晶片排系以一直线的排列方式设置于该基板单元之基板本体上。如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中每一条条状封装胶体系具有复数个设置于该等相对应胶体弧面前端之胶体前端面。如申请专利范围第7项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该第一模具单元系由一第一上模具及一用于承载该基板本体之第一下模具所组成，并且该第一上模具系具有复数条相对应该等纵向发光二极体晶片排第一通道，其中每一个第一通道系具有复数个凹槽，而每一个凹槽之上表面及前表面系分别具有一个相对应该胶体弧面模具弧面及一个相对应该胶体前端面模具前端面，此外该等第一通道的尺寸系与该等条状封装胶体的尺寸相同。如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中每一条条状封装胶体系为由一矽胶与一萤光粉所混合形成之萤光胶体。如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中每一条条状封装胶体系为由一环氧树脂与一萤光粉所混合形成之萤光胶体。如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该第二模具单元系由一第二上模具及一用于承载该基板本体之第二下模具所组成，并且该第二上模具系具有一条相对应该框架单元之第二通道，此外该第二通道的高度系与该等封装胶体的高度相同，而该第二通道的宽度系与该框架层的宽度相同。如申请专利范围第1项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该框架层系为不透光框架层。如申请专利范围第12项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该不透光框架层系为白色框架层。一种发光二极体晶片之封装方法，其包括下列步骤：提供一基板单元，其具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上之一正极导电轨迹与一负极导电轨迹；透过矩阵的方式，分别设置复数个发光二极体晶片于该基板本体上，以形成复数排纵向发光二极体晶片排，其中每一个发光二极体晶片系具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹之一正极端与一负极端；透过一第一模具单元，将复数条条状封装胶体纵向地分别覆盖在每一排纵向发光二极体晶片排上，其中每一条条状封装胶体之上表面系具有复数个相对应该等发光二极体晶片之胶体弧面；沿着每两个纵向发光二极体晶片之间，横向地切割该等条状封装胶体，以形成复数个彼此分开地覆盖于每一个发光二极体晶片上之封装胶体，其中每一个封装胶体的上表面系为该胶体弧面，并且每一个封装胶体系具有一形成于该胶体弧面前端之胶体出光面；透过一第三模具单元，将复数条条状框架层覆盖于该基板本体及该等封装胶体上并且纵向地填充于每一个封装胶体之间；以及沿着每两个纵向发光二极体晶片之间，横向地切割该等条状框架层及该基板本体，以形成复数条光棒，并且使得该等条状框架层被切割成复数个只让每一个封装胶体的胶体出光面露出之框体。如申请专利范围第14项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该第三模具单元系由一第三上模具及一用于承载该基板本体之第三下模具所组成，并且该第三上模具系具有复数条相对应该等纵向发光二极体晶片排第三通道，并且该第三通道的高度系与该等封装胶体的高度相同，而该第三通道的宽度系大于每一个封装胶体的宽度。如申请专利范围第14项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该等框体系为不透光框体。如申请专利范围第16项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该等不透光框体系为白色框体。一种发光二极体晶片之封装方法，其包括下列步骤：提供一基板单元，其具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上之一正极导电轨迹与一负极导电轨迹；透过矩阵的方式，分别设置复数个发光二极体晶片于该基板本体上，以形成复数排纵向发光二极体晶片排，其中每一个发光二极体晶片系具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹之一正极端与一负极端；透过一第四模具单元，将复数条条状封装胶体纵向地分别覆盖在每一排纵向发光二极体晶片排上，其中每一条条状封装胶体之上表面系具有复数个相对应该等发光二极体晶片之胶体弧面；沿着每两个横向发光二极体晶片之间，纵向地切割该等条状封装胶体，以形成复数个彼此分开地覆盖于每一个发光二极体晶片上之封装胶体，其中每一个封装胶体的上表面系为该胶体弧面，并且每一个封装胶体系具有一形成于该胶体弧面前端之胶体出光面；透过一第二模具单元，将一框架单元覆盖于该基板本体及该等封装胶体上并且填充于该等封装胶体之间；以及沿着每两个纵向发光二极体晶片之间，横向地切割该框架单元及该基板本体，以形成复数条光棒，并且使得该框架单元被切割成复数个只让每一条光棒上之所有封装胶体的该等胶体出光面露出之框架层。如申请专利范围第18项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该第四模具单元系由一第四上模具及一用于承载该基板本体之第四下模具所组成，并且该第四上模具系具有复数条相对应该等纵向发光二极体晶片排之第四通道，其中每一个第四通道之上表面及前表面系分别具有一模具弧面及一模具前端面，此外该等第四通道的高度及宽度系与该等条状封装胶体的高度及宽度相同。如申请专利范围第18项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该第二模具单元系由一第二上模具及一用于承载该基板本体之第二下模具所组成，并且该第二上模具系具有一条相对应该框架单元之第二通道，此外该第二通道的高度系与该等封装胶体的高度相同，而该第二通道的宽度系与该框架层的宽度相同。一种发光二极体晶片之封装方法，其包括下列步骤：提供一基板单元，其具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上之一正极导电轨迹与一负极导电轨迹；透过矩阵的方式，分别设置复数个发光二极体晶片于该基板本体上，以形成复数排纵向发光二极体晶片排，其中每一个发光二极体晶片系具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹之一正极端与一负极端；透过一第四模具单元，将复数条条状封装胶体纵向地分别覆盖在每一排纵向发光二极体晶片排上，其中每一条条状封装胶体之上表面系具有复数个相对应该等发光二极体晶片之胶体弧面；沿着每两个横向发光二极体晶片之间，纵向地切割该等条状封装胶体，以形成复数个彼此分开地覆盖于每一个发光二极体晶片上之封装胶体，其中每一个封装胶体的上表面系为该胶体弧面，并且每一个封装胶体系具有一形成于该胶体弧面前端之胶体出光面；透过一第三模具单元，将复数条条状框架层覆盖于该基板本体及该等封装胶体上并且纵向地填充于每一个封装胶体之间；以及沿着每两个纵向发光二极体晶片之间，横向地切割该等条状框架层及该基板本体，以形成复数条光棒，并且使得该等条状框架层被切割成复数个只让每一个封装胶体的胶体出光面露出之框体。如申请专利范围第21项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该第四模具单元系由一第四上模具及一用于承载该基板本体之第四下模具所组成，并且该第四上模具系具有复数条相对应该等纵向发光二极体晶片排之第四通道，其中每一个第四通道之上表面及前表面系分别具有一模具弧面及一模具前端面，此外该等第四通道的高度及宽度系与该等条状封装胶体的高度及宽度相同。如申请专利范围第21项所述之发光二极体晶片之封装方法，其中该第三模具单元系由一第三上模具及一用于承载该基板本体之第三下模具所组成，并且该第三上模具系具有复数条相对应该等纵向发光二极体晶片排第三通道，并且该第三通道的高度系与该等封装胶体的高度相同，而该第三通道的宽度系大于每一个封装胶体的宽度。一种发光二极体晶片封装结构，其包括：一基板单元，其具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上之一正极导电轨迹与一负极导电轨迹；一发光单元，其具有复数个设置于该基板本体上之发光二极体晶片，其中每一个发光二极体晶片系具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹之一正极端与一负极端；一封装胶体单元，其具有复数个分别覆盖于该等发光二极体晶片上之封装胶体，其中每一个封装胶体之上表面及前表面系分别具有一胶体弧面及一胶体出光面，其中该胶体弧面从该基板本体的上表面向上且向前延伸，且该胶体出光面从该胶体弧面的上末端向下延伸至该基板本体的上表面；以及一框架单元，其为一层覆盖于该基板本体上并覆盖每一个封装胶体而只露出每一个封装胶体的胶体出光面之不透光框架层，以使得每一个发光二极体晶片所产生的光源直接从每一个封装胶体的胶体出光面投射出来。如申请专利范围第24项所述之发光二极体晶片封装结构，其中该基板单元系为一印刷电路板、一软基板、一铝基板、一陶瓷基板、或一铜基板。如申请专利范围第24项所述之发光二极体晶片封装结构，其中该正、负极导电轨迹系为铝线路或银线路。如申请专利范围第24项所述之发光二极体晶片封装结构，其中每一个发光二极体晶片之正、负极端系透过两相对应之导线并以打线的方式，以与该正、负极导电轨迹产生电性连接。如申请专利范围第24项所述之发光二极体晶片封装结构，其中每一个发光二极体晶片之正、负极端系透过复数个相对应之锡球并以覆晶的方式，以与该正、负极导电轨迹产生电性连接。如申请专利范围第24项所述之发光二极体晶片封装结构，其中该等发光二极体晶片系以一直线的排列方式设置于该基板单元之基板本体上。如申请专利范围第24项所述之发光二极体晶片封装结构，其中该等发光二极体晶片系以复数条直线的排列方式设置于该基板单元之基板本体上。如申请专利范围第24项所述之发光二极体晶片封装结构，其中每一个封装胶体系为由一矽胶与一萤光粉所混合形成之萤光胶体。如申请专利范围第24项所述之发光二极体晶片封装结构，其中每一个封装胶体系为由一环氧树脂与一萤光粉所混合形成之萤光胶体。如申请专利范围第24项所述之发光二极体晶片封装结构，其中该不透光框架层系为白色框架层。一种发光二极体晶片封装结构，其包括：一基板单元，其具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上之一正极导电轨迹与一负极导电轨迹；一发光单元，其具有复数个设置于该基板本体上之发光二极体晶片，其中每一个发光二极体晶片系具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹之一正极端与一负极端；一封装胶体单元，其具有复数个分别覆盖于该等发光二极体晶片上之封装胶体，其中每一个封装胶体之上表面及前表面系分别具有一胶体弧面及一胶体出光面，其中该胶体弧面从该基板本体的上表面向上且向前延伸，且该胶体出光面从该胶体弧面的上末端向下延伸至该基板本体的上表面；以及一框架单元，其具有复数个分别覆盖该等封装胶体而只露出每一个封装胶体的胶体出光面不透光框体，以使得每一个发光二极体晶片所产生的光源直接从每一个封装胶体的胶体出光面投射出来，其中该等不透光框体系彼此分离地设置于该基板本体上。如申请专利范围第34项所述之发光二极体晶片封装结构，其中该等不透光框体系为白色框体。 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