| 主权项 |
一种可变增益放大器，包括：第一、第二负载；以及一转导单元(transconductor unit)，包括：第一、第二电晶体，包括复数控制端用以接收一组输入信号、复数第一端分别耦接至上述第一、第二负载，以及复数第二端分别耦接至第一、第二节点；第一、第二电流源，分别耦接于上述第一节点与一第一电压之间和上述第二节点与上述第一电压之间；以及一第一增益控制电晶体，耦接于上述第一、第二节点之间，用以接收一增益控制电压，其中上述第一增益控制电晶体之临界电压系低于上述第一、第二电晶体之临界电压。如申请专利范围第1项所述之可变增益放大器，其中上述第一、第二电晶体以及上述第一增益控制电晶体皆为MOS电晶体。如申请专利范围第2项所述之可变增益放大器，其中上述第一增益控制电晶体系为一原生型(native)MOS电晶体。如申请专利范围第2项所述之可变增益放大器，其中上述第一增益控制电晶体之一闸极氧化层系较薄于上述第一、第二电晶体之闸极氧化层。如申请专利范围第1项所述之可变增益放大器，更包括一第二增益控制电晶体具有一第一端耦接至上述第一节点、一第二端耦接至上述第二节点，以及一控制端耦接至上述增益控制电压，其中上述第一、第二增益控制电晶体具有不同的临界电压。如申请专利范围第5项所述之可变增益放大器，其中上述第一、第二电晶体以及上述第一、第二增益控制电晶体为MOS电晶体。如申请专利范围第6项所述之可变增益放大器，其中上述第一增益控制电晶体系为一原生型(native)MOS电晶体。如申请专利范围第6项所述之可变增益放大器，其中上述第二增益控制电晶体之临界电压系高于第一增益控制电晶体之临界电压。如申请专利范围第6项所述之可变增益放大器，其中上述第二增益控制电晶体系与上述第一、第二电晶体具有相同之临界电压。一种可变增益放大器，包括：一转导单元，用以根据一组输入信号，输出一差动信号，上述转导单元包括：第一、第二MOS电晶体，分别耦接于一第一负载与一第一节点之间和一第二负载与一第二节点之间；以及一第三MOS电晶体，耦接于上述第一、第二节点之间，用以作为一第一退化电阻(degeneration resistor)，并且上述第三MOS电晶体之闸极氧化层薄于上述第一、第二MOS电晶体之闸极氧化层。如申请专利范围第10项所述之可变增益放大器，其中上述第一增益控制电晶体系为一原生型(native)MOS电晶体。如申请专利范围第10项所述之可变增益放大器，其中上述第三MOS电晶体之临界电压低于上述第一、第二MOS电晶体之临界电压。如申请专利范围第10项所述之可变增益放大器，更包括一第四MOS电晶体耦接于上述第一、第二节点之间，用以作为一第二退化电阻，其中上述第三、第四MOS电晶体具有不同的厚度之闸极氧化层。如申请专利范围第13项所述之可变增益放大器，其中上述第三MOS电晶体系为一原生型(native)MOS电晶体。如申请专利范围第13项所述之可变增益放大器，其中上述第四MOS电晶体之闸极氧化层较厚于上述第三MOS电晶体之闸极氧化层。如申请专利范围第13项所述之可变增益放大器，其中上述第四MOS电晶体系与上述第一、第二MOS电晶体具有相同厚度之闸极氧化层。如申请专利范围第15项所述之可变增益放大器，其中上述第三MOS电晶体之临界电压低于上述第一、第二与第四MOS电晶体之临界电压。一种转导单元，包括：第一、第二电流源，分别耦接于一第一节点与一接地电压之间以及一第二节点与上述接地电压之间；第一、第二MOS电晶体，包括复数第一端分别耦接至第一、第二负载以及复数第二端分别耦接至上述第一、第二节点，上述第一、第二MOS电晶体用以将一组输入信号转换成一差动信号；以及一第三MOS电晶体，耦接于上述第一、第二节点之间，由一增益控制电压所控制，上述第三MOS电晶体具有一临界电压系低于上述第一、第二MOS电晶体之临界电压。如申请专利范围第18项所述之转导单元，更包括一第四MOS电晶体包括一第一端耦接上述第一节点、一第二端耦接上述第二节点，以及一控制端耦接上述增益控制电压，其中上述第三、第四MOS电晶体具有不同之临界电压。如申请专利范围第18项所述之转导单元，其中上述第四MOS电晶体之临界电压高于上述第三MOS电晶体之临界电压。如申请专利范围第18项所述之转导单元，其中上述第一、第二、第四MOS电晶体具有相同之临界电压。 |
