| 主权项 |
一种容纳垂直半导体晶片的电子封装，其系包括：一层积板，该层积板并设有一导孔接头以及导线分布在该层积板至少一层并透过该导孔接头互相搭接，该半导体晶片设有至少一个电极连接到分布的导线使不同层的导线可以有电气性连接，导孔接头并同时具有消散由垂直半导体所产出的热能，其中一焊锡掩膜横向延伸至小于或等于该电极之一区域，以与该电极面对面焊接；复数球闸阵列脚位，其系位于焊接表面之外侧边缘，该焊接表面与该焊锡掩膜分离；复数锡球，其系焊接于该些球闸阵列脚位上；以及该垂直半导体晶片更包含复数焊锡凸块，其系从该电极对面之一顶面，垂直往上延伸至与该些锡球相同之一高度，以方便将该些锡球黏着位于一顶部固定之印刷电路板上之终端。如申请专利范围第1项所述之容纳垂直半导体晶片的电子封装，其中一个球栅阵列连接到该导孔接头并作为在该封装底部表面的接触。如申请专利范围第1项所述之容纳垂直半导体晶片的电子封装，其中一个球栅阵列(Ball Grid Array BGA)连接到该导孔接头并作为在封装底部表面的接触，其中该层层积板设有一热膨胀系数(thermal expansion coefficient)并大致上与印刷电路板范围值相同藉以让球栅阵列与电子终端有更可靠的电性接触。如申请专利范围第1项所述之容纳垂直半导体晶片的电子封装，其中该垂直半导体晶片更包含从半导体晶片所延伸出的焊锡凸块，该焊锡凸块与球栅阵列并设在同样的平面上使该垂直半导体晶片能方便黏着于散布在印刷电路板上的终端。如申请专利范围第1项所述之容纳垂直半导体晶片的电子封装，其中该垂直半导体晶片更进一步包含一金氧半场效电晶体晶片。如申请专利范围第5项所述之容纳垂直半导体晶片的电子封装，其中该金氧半场效电晶体晶片持有一个汲极电极连接到导线来做为电性搭接到层积板的顶层，导孔接头并同时驱散金氧半场效电晶体晶片所产出的热能。如申请专利范围第6项所述之容纳垂直半导体晶片的电子封装，更进一步包含状矩阵搭接到导孔接头并在该封装的底面作为金氧半场效电晶体晶片的汲极接触。如申请专利范围第5项所述之容纳垂直半导体晶片的电子封装，其中该金氧半场效电晶体晶片更包含了从金氧半场效电晶体晶片所延伸出的焊锡凸块，该焊锡凸块与球栅阵列并设在同样的平面上使该垂直半导体晶片能方便黏着于散布在印刷电路板上的终端。如申请专利范围第5项所述之容纳垂直半导体晶片的电子封装，其中该金氧半场效电晶体晶片更进一步包含焊锡凸块使其成为源极与闸极的接触连结到导孔接头来与球栅阵列做为电性搭接，该垂直半导体晶片附着于该层积板如一个覆晶接合持有一个底层电极依附到金氧半场效电晶体晶片的背表面并且与球栅阵列并设在同样的平面上使该金氧半场效电晶体晶片能方便黏着于散布在印刷电路板上的终端。一种加强金氧半场效电晶体封装散热之方法，其系包括藉由在层积板上设有一导孔接头以及将导线分布在该层积板至少一层以上并透过该导孔接头互相搭接；该金氧半场效电晶体装置设有至少一个电极连接到分布的导线使不同层的导线可以有电气性连接，该导孔接头与该导线同时具有消散热能的作用，其中一焊锡掩膜横向延伸至小于或等于该电极之一区域，以与该电极面对面焊接，且复数球闸阵列脚位系位于焊接表面之外侧边缘，该焊接表面与该焊锡掩膜分离；焊接复数锡球于该些球闸阵列脚位上；以及形成复数焊锡凸块于该金氧半场效电晶体装置上，该些焊锡凸块从该电极对面之一顶面，垂直往上延伸至与该些锡球相同之一高度，以方便将该些锡球黏着位于一顶部固定之印刷电路板上之终端。如申请专利范围第10项所述之加强金氧半场效电晶体封装散热之方法，更包含连接球栅阵列到该导孔接头并作为该金氧半场效电晶体封装底部表面的接触。如申请专利范围第10项所述之加强金氧半场效电晶体封装散热之方法，更包含连接球栅阵列到该导孔接头并作为在该封装底部表面的接触的步骤以及附着金氧半场效电晶体封装于球栅阵列的步骤，而该球栅阵列则附着分布于印刷电路板的电子终端，其中该层层积板设有一热膨胀系数并大致上与印刷电路板范围值相同藉以让球栅阵列与电子终端有更可靠的电性接触。如申请专利范围第10项所述之加强金氧半场效电晶体封装散热之方法，更包含形成焊锡凸块于金氧半场效电晶体晶片的步骤，该焊锡凸块则由半导体晶片所延伸出并与球栅阵列设在同样的平面上使该垂直半导体晶片能方便黏着于散布在印刷电路板上的终端。如申请专利范围第10项所述之加强金氧半场效电晶体封装散热之方法，更包含形成焊锡凸块于金氧半场效电晶体晶片的步骤，使金氧半场效电晶体晶片能连结到导孔接头的焊锡凸块来与球栅阵列做为电性搭接；该方法更包含将金氧半场效电晶体晶片附着于层积板如一个覆晶接合持有一个底层电极依附到金氧半场效电晶体晶片的背表面并且与球栅阵列并设在同样的平面上使该垂直半导体晶片能方便黏着于散布在印刷电路板上的终端。如申请专利范围第10项所述之加强金氧半场效电晶体封装散热之方法，更包含搭接该金氧半场效电晶体晶片的汲极电极于导线的步骤以让层积板的顶层能与导线有电性搭接，导孔接头并同时具有消散由金氧半场效电晶体晶片所产出的热能。如申请专利范围第10项所述之加强金氧半场效电晶体封装散热之方法，更包含连结球栅阵列到该导孔接头并在封装的底面作为金氧半场效电晶体晶片汲极的步骤。如申请专利范围第16项所述之加强金氧半场效电晶体封装散热之方法，更包含形成焊锡凸块于金氧半场效电晶体晶片的步骤，其中该焊锡凸块则从金氧半场效电晶体晶片所延伸出并与球栅阵列设在同样的平面上使该金氧半场效电晶体晶片能方便黏着于散布在印刷电路板上的终端。如申请专利范围第10项所述之加强金氧半场效电晶体封装散热之方法，更包含形成焊锡凸块于金氧半场效电晶体晶片的步骤，其步骤让焊锡凸块成为源极与闸极的接触连结到导孔接头来与球栅阵列做为电性搭接，金氧半场效电晶体晶片附着于该层积板如一个覆晶接合持有一个底层电极依附到金氧半场效电晶体晶片的背表面并且与球栅阵列并设在同样的平面上使该金氧半场效电晶体晶片能方便黏着于散布在印刷电路板上的终端。一种减少封装与印刷电路板间热应力的方法，其中该封装设有一垂直半导体晶片并附着在该印刷电路板上，该方法包含：将复数个导线分布在一个层积板里的至少一层，并同时在该层积板上设有一导孔接头，该导线则透过该导孔接头互相搭接；搭接该垂直半导体晶片的电极到该导线使分布在不同层积板层的导线可以电性搭接，并同时电性搭接到球栅阵列与焊锡凸块，一焊锡掩膜横向延伸至小于或等于该电极之一区域，以与该电极面对面焊接，且复数球闸阵列脚位系位于焊接表面之外侧边缘，以供该球栅阵列设置，该焊接表面与该焊锡掩膜分离，其中该焊锡凸块安装在该印刷电路板上，并位于该垂直半导体晶片上，该些焊锡凸块从该电极对面之一顶面，垂直往上延伸至与该球栅阵列相同之一高度，以方便将该球栅阵列黏着位于一顶部固定之该印刷电路板上之终端，同时该层层积板设有一热膨胀系数并大致上与该印刷电路板范围值相同藉以让热应力减少。 |
