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一种热线遮蔽膜形成基材之制法，其特征为包含：将三烷氧基矽烷或三烷氧基矽烷与四烷氧基矽烷为起始原料所形成之溶胶溶液，及分散有掺杂锡之氧化铟的超微粒子之溶液进行混合，作为处理剂的步骤；及，将处理剂涂布于基材的涂布步骤；其中，前述处理剂系具有沸点为100至200℃的有机溶剂作为分散媒的处理剂，前述涂布步骤的涂布系由使保持处理剂的构件接触基材的手段，或藉由处理剂之喷雾的手段，使所形成之膜的雾度值为0.5%以下，处理剂中之矽化合物与掺杂锡之氧化铟超微粒子的重量比为2：8至7：3，其中处理剂中之溶剂中，使沸点为100至200℃的有机溶剂量占30重量%以上，在处理剂涂布于基材后，以50~300℃进行烧成，使膜之铅笔硬度为3H以上。如申请专利范围第1项之热线遮蔽膜形成基材之制法，其中沸点为100至200℃的有机溶剂为丙二醇单烷醚系溶剂。如申请专利范围第1或2项之热线遮蔽膜形成基材之制法，其中使溶胶溶液中源自四烷氧基矽烷的矽化合物的量相对于源自三烷氧基矽烷的矽化合物的量，以重量比表示为4倍以下。如申请专利范围第1或2项之热线遮蔽膜形成基材之制法，其中在制作前述处理剂的步骤中，再添加有机金属错合物。一种热线遮蔽膜形成用处理剂，其特征系将如申请专利范围第1项至第4项中任一项之热线遮蔽膜形成基材之制法所使用之将三烷氧基矽烷或三烷氧基矽烷与四烷氧基矽烷为起始原料所形成之溶胶溶液，及分散有掺杂锡之氧化铟的超微粒子之溶液进行混合所得之热线遮蔽膜形成用处理剂，该处理剂中之溶剂中，使沸点为100至200℃的有机溶剂量含有30重量%以上，处理剂中之矽化合物与掺杂锡之氧化铟超微粒子的重量比为2：8至7：3。 |
