| 主权项 |
一种薄膜电晶体，包括：一闸极，位于一基板上；至少一无机材料层，覆盖住该闸极，裸露出该闸极周围的该基板；至少一介电层，包括一有机材料，覆盖于未被该无机材料层所覆盖的该基板上，其具有一开口，裸露出该闸极上之该无机材料层；一源极与一汲极，分别位于该介电层以及该开口所裸露出的部分该无机材料层上，该源极与该汲极之间具有一通道区；以及一主动层，位于该通道区上。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该无机材料层之材质包括介电常数低于4之低介电常数材料。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该无机材料层之材质包括介电常数高于4之高介电常数材料。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该无机材料层之材质包括矽的氧化物、矽的氮氧化物、矽的氮化物、铝的氧化物、铝的氮化物、铪的氧化物、铪矽的氧化物、铪镧的氧化物或碳的矽化物。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该无机材料层之上表面之轮廓呈正方形、长方形、多角形、角呈弧状之正方形、角呈弧状之长方形、角呈弧状之多角形、圆形或椭圆形。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该无机材料层仅覆盖该闸极之顶面、该无机材料层共形覆盖该闸极之顶面与侧壁、或该无机材料层覆盖该闸极之顶面与侧壁且其侧面呈梯形。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该介电层之材质包括感光性材料。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该介电层之材质包括不可感光性材料。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该介电层之材质包括聚亚醯胺(PI)、聚乙烯酚(Polyvinyl phenol)、聚苯乙烯(PS)、压克力或环氧树脂。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，更包括至少一弹性体位于该源极或该汲极之周围的该介电层中。如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体，其中该弹性体自该介电层之下表面延伸至该介电层之上表面、自该介电层之下表面延伸至该介电层之中、或自该介电层之上表面延伸至该介电层之中。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该基板为硬式基板或是可挠式基板。一种薄膜电晶体，包括：一主动层，位于一基板上；一源极与一汲极，分别覆盖位于部分该主动层与部分该基板上，该源极与该汲极之间具有一通道区；至少一无机材料层，填入于该通道区；至少一介电层，包括一有机材料，覆盖于该无机材料层、该源极与该汲极上；以及一闸极，位于该通道区上方的该介电层上。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体，其中该无机材料层之材质包括介电常数低于4之低介电常数材料。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体，其中该无机材料层之材质包括介电常数高于4之高介电常数材料。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体，其中该无机材料层之材质包括矽的氧化物、矽的氮氧化物、矽的氮化物、铝的氧化物、铝的氮化物、铪的氧化物、铪矽的氧化物、铪镧的氧化物或碳的矽化物。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体，其中该无机材料层之上表面之轮廓呈正方形、长方形、多角形、圆形、椭圆形或具有平滑轮廓者。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体，其中该无机材料层自通道区上延伸至该源极与该汲极上使其侧面呈T形，或该无机材料层仅位于该通道区中。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体，其中该介电层之材质包括感光性材料。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体，其中该介电层之材质包括不可感光性材料。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体，其中该介电层之材质包括聚亚醯胺(PI)、聚乙烯酚(Polyvinyl phenol)、聚苯乙烯(PS)、压克力或环氧树脂。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体，更包括至少一弹性体位于该源极或该汲极之周围的该介电层中。如申请专利范围第22项所述之薄膜电晶体，其中该弹性体自该介电层之下表面延伸至该介电层之上表面、自该介电层之下表面延伸至该介电层之中或自该介电层之上表面延伸至该介电层之中。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体，其中该基板为硬式基板或是可挠式基板。一种薄膜电晶体，包括：一源极与一汲极，位于一基板上方，该源极与该汲极之间包括一通道区；一闸极，与该通道区相对设置；一主动层，与该闸极相对设置并置于该基板的一主动区域中；以及一绝缘层，隔绝该闸极与该源极及该汲极，其包括：至少一无机材料层，至少位于该闸极与该主动层之间；以及至少一介电层，包括一有机材料，至少位于该主动区域以外的该基板上。 |
