| 主权项 |
一种液晶显示装置，其包含有：一第一基板与一第二基板，其中该第一基板与该第二基板彼此相对排列；至少一凸出体，形成于该第一基板上，其中该凸出体具有一凹部，同时该凸出体包含有：一第一结构，该第一结构环绕着该凹部；及一第二结构，该第二结构形成于该凹部之内部，并且该第一结构与该第二结构彼此间具有不同的高度；一第一柱状间隔粒，形成于该第二基板上且对应于该凸出体；以及一液晶层，填充于该第一基板与该第二基板之间。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该第一柱状间隔粒与该凸出体相接触。如申请专利范围第2项所述之液晶显示装置，其中该第一柱状间隔粒具有一表面面对于该凸出体，且该第一柱状间隔粒之该表面与该凸出体部份接触。如申请专利范围第3项所述之液晶显示装置，其中仅该第一柱状间隔粒之该表面的周围部份与该凸出体相接触。如申请专利范围第2项所述之液晶显示装置，其中该凸出体之该凹部系由该第一柱状间隔粒与该凸出体封闭住以形成一个空腔。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该第一结构系沿着该凹部之整个外围延伸。如申请专利范围第5项所述之液晶显示装置，其中该第一结构与该第一柱状间隔粒相接触，且该第二结构与该第一柱状间隔粒相分离。如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置，其中该第一柱状间隔粒具有一表面面对于该凸出体，且仅该第一柱状间隔粒之该表面的周围部份与该第一结构相接触。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该第一结构高于该第二结构。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中更包含有一第二柱状间隔粒形成于该第二基板上，且对应于没有形成该凸出体的区域，其中该第二柱状间隔粒与该第一基板上之一保护层相分离。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该凹部具有一闭环。如申请专利范围第11项所述之液晶显示装置，其中该闭环系为一圆形或一多边形。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中更包含有：复数条闸极线及复数条资料线，形成于该第一基板上，且该等闸极线及该等资料线彼此交叉以定义至少一画素区域；以及至少一薄膜电晶体，形成于该等闸极线及该等资料线之交叉处，且各该薄膜电晶体包含有：一闸极；一源极；一汲极；以及一半导体层，形成于该闸极上，且与该源极/汲极部份重叠。如申请专利范围第12项所述之液晶显示装置，其中该凸出体具有一双层结构，其包含有：一半导体层图案，与该半导体层位于同一层；以及一金属层，形成于该半导体层图案之上，且该金属层与该源极/汲极位于同一层。如申请专利范围第14项所述之液晶显示装置，其中该凸出体更包含有一保护层，直接形成于该双层结构之上，且该第一柱状间隔粒与该双层结构上之该保护层直接接触。如申请专利范围第14项所述之液晶显示装置，其中该凸出体之该凹部系透过该源极/汲极金属层之一移除部分形成。如申请专利范围第14项所述之液晶显示装置，其中该凸出体之该凹部系透过该源极/汲极金属层之一移除部分以及位于该源极/汲极金属层以下之该半导体层图案的一移除部份形成。如申请专利范围第13项所述之液晶显示装置，其中该画素电极及该共同电极于该第一基板之该画素区域交互排列。如申请专利范围第13项所述之液晶显示装置，其中该画素电极形成于该第一基板之该画素区域上，并且该共同电极形成于该第二基板之整个表面上。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该第一区域直接位于该第一基板之该等闸极线其中之一上或者该第一基板之该等共同电极线其中之一上。一种制造液晶显示装置之方法，其包含以下步骤：预备一第一基板及一第二基板；形成至少一凸出体于该第一基板上，且该凸出体具有一凹部；形成一第一柱状间隔粒于该第二基板上，且与该凸出体相对应；沈积液晶材料于该第一基板与该第二基板之间；以及将该第一基板及该第二基板彼此结合，其中，形成该凸出体之步骤包含有：形成一第一结构并环绕该凹部；及形成一第二结构于该凹部之内部，并且该第一结构与该第二结构彼此间具有不同的高度。如申请专利范围第21项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该结合之步骤包含有一将该第一柱状间隔粒与该凸出体相接触之步骤。如申请专利范围第22项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该第一柱状间隔粒具有一表面面对于该凸出体，且该接触之步骤包含有一将该第一柱状间隔粒之该表面与该凸出体部份接触之步骤。如申请专利范围第23项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该接触之步骤包含有一仅将该第一柱状间隔粒之该表面的周围部分与该凸出体相接触之步骤。如申请专利范围第22项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该接触之步骤更包含一藉由该第一柱状间隔粒及该凸出体而封闭该凸出体之凹部以形成一空腔。如申请专利范围第22项所述之制造液晶显示装置之方法，其中形成该第一结构之步骤包含有一形成沿着该凹部之整个外围延伸之该第一结构的步骤。如申请专利范围第26项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该接触之步骤包含有一将该第一结构与该第一柱状间隔粒相接触，而使该第二结构不与该第一柱状间隔粒相接触之步骤。如申请专利范围第27项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该第一柱状间隔粒具有一表面面对于该至凸出体，且该接触之步骤更包含有一仅该第一柱状间隔粒之该表面的周围部分与该第一结构相接触之步骤。如申请专利范围第22项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该第一结构高于该第二结构。如申请专利范围第21项所述之制造液晶显示装置之方法，其中更包含有一形成一第二柱状间隔粒形成于该第二基板上，且对应于没有形成该凸出体的区域之步骤，而其中结合之步骤包含有一保持该第二柱状间隔粒与该第一基板上之一保护层相分离。如申请专利范围第21项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该凹部系为一闭环。如申请专利范围第31项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该闭环系为一圆形或一多边形。如申请专利范围第21项所述之制造液晶显示装置之方法，其中更包含以下步骤：形成复数条闸极线于该第一基板上，且该等闸极线沿着一方向延伸；以及形成一半导体层及一金属层于包含该等闸极线之该第一基板的整个表面上，其中形成该凸出体之步骤包含有一选择性地移除该金属层及该半导体层之步骤。如申请专利范围第33项所述之制造液晶显示装置之方法，其中形成该凸出体之步骤包含一形成一双层结构之步骤，其中该两层结构包含有一半导体层图案与该半导体层位于同一层以及一金属层层状堆积于该半导体层图案上，且该金属层于该源极/汲极位于同一层。如申请专利范围第34项所述之制造液晶显示装置之方法，其中形成该凸出体之步骤更包含有一形成一保护层直接于该双层结构之上之步骤，以及该结合之步骤包含有一将该第一柱状间隔粒与该双层结构上之该保护层直接接触之步骤。如申请专利范围第34项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该凸出体之该凹部系透过移除源极/汲极金属层之一部份形成。如申请专利范围第34项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该凸出体之凹部份系透过移除源极/汲极金属层之一部份以及移除位于该源极/汲极金属层下方之该半导体层图案之一部份形成。如申请专利范围第33项所述之制造液晶显示装置之方法，其中形成该凸出体之步骤，其包含以下步骤：涂盖一具有一预设厚度之感光层于该金属层的整个表面上；形成一第一感光层图案，透过于感光层上方设置一遮罩且透过利用该遮罩选择性地曝光及显影于该保护层上之特定区域，以使该第一感光层图案形成一阶梯状的上表面；形成一金属层图案及一半导体层图案，该金属层图案与该半导体层图案系透过依序地移除部份该金属层及部份该半导体层而得到，其中于该金属层及该半导体层的移除部份之该第一感光层不存在，系透过利用该第一感光层图案作为一蚀刻遮罩；形成一第二感光层图案，该第二感光层图案系透过经由一灰化步骤，而移除该第一感光层图案之一较薄部份而得到；以及透过利用该第二感光层图案以蚀刻该金属层之曝光部分。如申请专利范围第21项所述之制造液晶显示装置之方法，其中该凸出体直接位于该第一基板之该等闸极线其中之一上或者该第一基板之该等共同电极线其中之一上。一种液晶显示装置之间隔粒结构，其中该液晶显示装置具有彼此相对之一第一基板及一第二基板，而该间隔粒结构包含有：至少一凸出体形成于该第一基板之一第一区域上，且该凸出体具有一凹部，其它该凸出体包含有：一第一结构，该第一结构环绕着该凹部；及一第二结构，该第二结构形成在于该凹部之内部，并且该第一结构与该第二结构彼此间具有不同的高度；以及一第一柱状间隔粒形成于该第二基板上，且与该凸出体相对应。如申请专利范围第40项所述之液晶显示装置之间隔粒结构，其中该第一柱状间隔粒与该凸出体相接触。如申请专利范围第41项所述之液晶显示装置之间隔粒结构，其中该第一柱状间隔粒具有一表面面对于该凸出体，且该第一柱状间隔粒之该表面与该凸出体部份接触。如申请专利范围第42项所述之液晶显示装置之间隔粒结构，其中仅该第一柱状间隔粒之该表面的周围部分与该凸出体相接触。如申请专利范围第40项所述之液晶显示装置之间隔粒结构，其更包含有一第二柱状间隔粒形成于该第二基板上，且对应于该第一基板上没有形成该凸出体的一第二区域，其中该第二柱状间隔粒与该第一基板上之一保护层相分离。 |
