| 主权项 |
一种避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，包含：一基板，系具有一上表面、一下表面以及至少一侧边小窗孔并包含有一第一防焊层与一第二防焊层，该第一防焊层系形成于该基板之该上表面，该第二防焊层系形成于该基板之该下表面，其中该第一防焊层系提供一黏晶表面并具有一由该黏晶表面下沉之环形导胶槽，其系环绕于该侧边小窗孔；一黏晶层，系形成于该第一防焊层之该黏晶表面；一晶片，系以该黏晶层黏着方式设置于该基板之该上表面，该晶片系具有一侧边焊垫，其系对准于该侧边小窗孔内；一电性连接元件，系透过该侧边小窗孔并电性连接该晶片之该侧边焊垫至该基板；以及一封胶体，系形成于该基板之该上表面之上以及该侧边小窗孔内，以密封该晶片之至少一部位以及该电性连接元件。如申请专利范围第1项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该环形导胶槽系具有至少一超出该晶片并远离该侧边小窗孔之延伸端。如申请专利范围第2项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该环形导胶槽之该延伸端系连通至该基板之侧边。如申请专利范围第1项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该环形导胶槽系为曲线状。如申请专利范围第1项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该环形导胶槽系为U形。如申请专利范围第1项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该环形导胶槽系显露至该基板之一核心层。如申请专利范围第1项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该环形导胶槽系为非封闭。如申请专利范围第1项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该基板系更具有一中央槽孔，该第一防焊层系更具有另一环形导胶槽，其系环绕于该中央槽孔。如申请专利范围第1项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该基板另包含有一金属导电层，其系形成于该基板之该上表面并被该第一防焊层所覆盖。一种避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，包含：一基板，系具有一上表面、一下表面以及至少一中央槽孔并包含有一第一防焊层与一第二防焊层，该第一防焊层系形成于该基板之该上表面，该第二防焊层系形成于该基板之该下表面，其中该第一防焊层系提供一黏晶表面并具有一由该黏晶表面下沉之环形导胶槽，其系环绕于该中央槽孔；一黏晶层，系形成于该第一防焊层之该黏晶表面；一晶片，系以该黏晶层黏着方式设置于该基板之该上表面，该晶片系具有一中央焊垫，其系对准于该中央槽孔内；一电性连接元件，系透过该中央槽孔并电性连接该晶片之该中央焊垫至该基板；以及一封胶体，系形成于该基板之该上表面之上以及该中央槽孔内，以密封该晶片之至少一部位以及该电性连接元件。如申请专利范围第10项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该环形导胶槽系具有至少一超出该晶片并远离该中央槽孔之延伸端。如申请专利范围第11项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该环形导胶槽之该延伸端系连通至该基板之侧边。如申请专利范围第10项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该环形导胶槽系为U形。如申请专利范围第10项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该环形导胶槽系显露至该基板之一核心层。如申请专利范围第10项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该环形导胶槽系为非封闭。如申请专利范围第10项所述之避免黏晶溢胶之窗口型半导体封装构造，其中该基板另包含有一金属导电层，其系形成于该基板之该上表面并被该第一防焊层所覆盖。 |
