发明名称 剥胶装置及其盖体结构及应用其之剥胶方法
摘要
申请公布号 TWI343099 申请公布日期 2011.06.01
申请号 TW096134750 申请日期 2007.09.17
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 张云龙;蔡育章;孙铭伟
分类号 H01L23/28;B29C45/38 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2
主权项 一种剥胶装置之盖体结构,该剥胶装置系用以剥离附着于一封装阵列上之复数个第一多余胶体及复数个第二多余胶体,该盖体结构包括:一第一压块,具有一第一顶端及一第一底端;一第二压块,系对应该第一压块设置,该第二压块具有一第二顶端及一第二底端;以及一本体,系连接该第一压块之该第一顶端及该第二压块之该第二顶端,该本体具有复数个第一沟槽及复数个第二沟槽,该些第一沟槽与该些第二沟槽系对应并列,该第一压块之该第一底端及该第二压块之该第二底端系分别位于该封装阵列之相对两侧边,以使该本体位于该封装阵列之上方,且该些第一沟槽及该些第二沟槽系面对该封装阵列;其中,当一外力施加于该第一压块及该第二压块时,该第一压块使该本体依循一剥胶方向施压于该些第一多余胶体而将该外力从该封装阵列之一端传递至另一端,以使该些第一多余胶体依循该剥胶方向顺序地自该封装阵列剥离,该第二压块使该本体依循一相反于该剥胶方向之方向施压于该些第二多余胶体而将该外力从该封装阵列之该另一端传递至该端,以使该些第二多余胶体依循相反于该剥胶方向之该方向顺序地自该封装阵列剥离。如申请专利范围第1项所述之盖体结构,其中该第一压块之该第一底端具有一第一斜面,该第二压块之该第二底端具有一第二斜面,该外力系施加于对应该第一斜面之该第一压块之表面上及对应该第二斜面之该第二压块之表面上。如申请专利范围第2项所述之盖体结构,其中该第一斜面之高度系沿着该剥胶方向递减,且该第二斜面之高度系沿着相反于该剥胶方向之该方向递减。如申请专利范围第1项所述之盖体结构,其中该些第一沟槽系沿着该剥胶方向相互平行地设置,且该些第一沟槽彼此相隔一固定间距,该些第二沟槽系沿着该剥胶方向相互平行地设置,且该些第二沟槽彼此相隔该固定间距。如申请专利范围第4项所述之盖体结构,其中该些第一沟槽各具有一第一凹口,且该些第二沟槽各具有一第二凹口,该第一凹口系与该第二凹口朝向相反之方向。如申请专利范围第4项所述之盖体结构,其中具有相同序列数之该第一沟槽及该第二沟槽相对于该本体之一侧之距离差值系为该固定间距。如申请专利范围第1项所述之盖体结构,其中该些第一多余胶体及该些第一沟槽之形状及尺寸系实质上相同,且该些第二多余胶体及该些第二沟槽之形状及尺寸系实质上相同。如申请专利范围第1项所述之盖体结构,其中该些第一沟槽之位置系对应于该些第一多余胶体之位置,该些第二沟槽之位置系对应于该些第二多余胶体之位置。如申请专利范围第1项所述之盖体结构,其中一槽道系位于该些第一沟槽及该些第二沟槽之间。一种剥胶装置,用以剥离附着于一封装阵列上之复数个第一多余胶体及复数个第二多余胶体,该剥胶装置包括:一底座,该封装阵列系置放于该底座上;以及一盖体结构,包括:一第一压块,具有一第一顶端及一第一底端;一第二压块,系对应该第一压块设置,该第二压块具有一第二顶端及一第二底端;及一本体,系连接该第一压块之该第一顶端及该第二压块之该第二顶端,该本体具有复数个第一沟槽及复数个第二沟槽,该些第一沟槽与该些第二沟槽系对应并列,该第一压块之该第一底端及该第二压块之该第二底端系分别位于该封装阵列之相对两侧边,以使该本体位于该封装阵列之上方,且该些第一沟槽及该些第二沟槽系面对该封装阵列;其中,当一外力施加于该第一压块及该第二压块时,该第一压块使该本体依循一剥胶方向施压于该些第一多余胶体而将该外力从该封装阵列之一端传递至另一端,以使该些第一多余胶体依循该剥胶方向顺序地自该封装阵列剥离,该第二压块使该本体依循一相反于该剥胶方向之方向施压于该些第二多余胶体而将该外力从该封装阵列之该另一端传递至该端,以使该些第二多余胶体依循相反于该剥胶方向之该方向顺序地自该封装阵列剥离。如申请专利范围第10项所述之剥胶装置,其中该第一压块之该第一底端具有一第一斜面,该第二压块之该第二底端具有一第二斜面,该外力系施加于对应该第一斜面之该第一压块之表面上及对应该第二斜面之该第二压块之表面上。如申请专利范围第11项所述之剥胶装置,其中该第一斜面之高度系沿着该剥胶方向递减,且该第二斜面之高度系沿着相反于该剥胶方向之该方向递减。如申请专利范围第10项所述之剥胶装置,其中该些第一沟槽系沿着该剥胶方向相互平行地设置,且该些第一沟槽彼此相隔一固定间距,该些第二沟槽系沿着该剥胶方向相互平行地设置,且该些第二沟槽彼此相隔该固定间距。如申请专利范围第13项所述之剥胶装置,其中该些第一沟槽各具有一第一凹口,且该些第二沟槽各具有一第二凹口,该第一凹口系与该第二凹口朝向相反之方向。如申请专利范围第13项所述之剥胶装置,其中具有相同序列数之该第一沟槽及该第二沟槽相对于该本体之一侧之距离差值系为该固定间距。如申请专利范围第10项所述之剥胶装置,其中该些第一多余胶体及该些第一沟槽之形状及尺寸系实质上相同,且该些第二多余胶体及该些第二沟槽之形状及尺寸系实质上相同。如申请专利范围第10项所述之剥胶装置,其中该些第一沟槽之位置系对应于该些第一多余胶体之位置,该些第二沟槽之位置系对应于该些第二多余胶体之位置。如申请专利范围第10项所述之剥胶装置,其中一槽道系位于该些第一沟槽及该些第二沟槽之间。一种剥胶方法,用以剥离附着于一封装阵列之复数个第一多余胶体,该剥胶方法包括:设置一盖体结构于该封装阵列之上方,该盖体结构包括一本体,该本体具有复数个第一沟槽;对准该些第一多余胶体及该些第一沟槽;施加一外力于该本体,并使该外力依循一剥胶方向从该封装阵列之一端传递至另一端;以及该些第一多余胶体受力而依循该剥胶方向顺序地自该封装阵列剥离。如申请专利范围第19项所述之剥胶方法,其中该盖体结构更包括一第一压块,该第一压块具有一第一顶端及一第一底端,该第一顶端系与该本体连接,设置该盖体结构于该封装阵列之上方之步骤包括:设置该第一压块之该第一底端于该封装阵列之一侧边,以使该本体位于该封装阵列之上方,且该些第一沟槽系面对该封装阵列。如申请专利范围第20项所述之剥胶方法,其中施加该外力于该本体之步骤包括:施加该外力于该第一压块上,该外力系经由该第一压块传递至该本体,以使该本体依循该剥胶方向施压于该些第一多余胶体,且该第一压块使该外力依循该剥胶方向从该封装阵列之该端传递至该另一端。如申请专利范围第21项所述之剥胶方法,其中该第一压块之该第一底端具有一斜面,且该斜面之高度系沿着该剥胶方向递减,于施加该外力于该第一压块上之步骤中,该外力系施加于对应该斜面之该第一压块之表面上。如申请专利范围第20项所述之剥胶方法,其中该剥胶方法更用以剥离附着于该封装阵列上之复数个第二多余胶体,该本体更具有复数个第二沟槽,该剥胶方法更包括:对准该些第二多余胶体及该些第二沟槽;施加该外力于该本体,并使该外力依循一相反于该剥胶方向之方向从该封装阵列之该另一端传递至该端;以及该些第二多余胶体受力而依循相反于该剥胶方向之该方向顺序地自该封装阵列剥离。如申请专利范围第23项所述之剥胶方法,其中该盖体结构更包括一第二压块,该第二压块具有一第二顶端及一第二底端,该第二顶端系与该本体连接,设置该盖体结构于该封装阵列之上方之步骤包括:设置该第二压块之该第二底端于该封装阵列之另一侧,以使该本体位于该封装阵列之上方,且该些第二沟槽系面对该封装阵列。如申请专利范围第24项所述之剥胶方法,其中于施加该外力于该本体之步骤包括:施加该外力于该第二压块上,该外力系经由该第二压块传递至该本体,以使该本体依循相反于该剥胶方向之该方向施压于该些第二多余胶体,且该第二压块使该外力依循相反于该剥胶方向之该方向从该封装阵列之该另一端传递至该端。如申请专利范围第25项所述之剥胶方法,其中该第二压块之该第二底端具有一斜面,且该斜面之高度系沿着相反于该剥胶方向之该方向递减,于施加该外力于该第二压块上之步骤中,该外力系施加于对应该斜面之该第二压块之表面上。
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