| 主权项 |
一种液晶显示装置，包含有：第一和第二基板，该第一基板和该第二基板彼此相对；第一和第二柱状间隔粒，均位于该第二基板上；一凸出体，位于该第一基板上，且与该第一柱状间隔粒对应；一补偿图案，位于该第一基板上，且与该第二柱状间隔粒之四周对应；及一液晶层，位于该第一和第二基板之间。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该补偿图案与该第二柱状间隔粒之第一表面分离，该第二柱状间隔粒之第一表面与该第一基板相对。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该凸出体位于该第一柱状间隔粒上，该第二柱状间隔粒与该第一基板相对。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该第一基板包含：闸极线和资料线，该闸极线和该资料线彼此相交以定义一画素区域；一薄膜电晶体，邻近该闸极线和该资料线之交叉处；及一画素电极，位于该画素区域内。如申请专利范围第4项所述之液晶显示装置，其中该画素区域包含与该画素电极交错设置之复数个共同电极。如申请专利范围第4项所述之液晶显示装置，其中该第二基板包含：一黑矩阵层，与该画素区域外之一区域对应；及一彩色滤光层，与至少包含该画素区域之一区域对应。如申请专利范围第6项所述之液晶显示装置，其中更包含一位于该第二基板上的外涂层。如申请专利范围第6项所述之液晶显示装置，其中更包含一位于该第二基板上的共同电极。如申请专利范围第4项所述之液晶显示装置，其中该薄膜电晶体包含：一闸极，从该闸极线凸出；源极和汲极，彼此分离且位于该闸极上方；及一半导体层，位于该闸极与该源极/汲极之间，并与该源极和该汲极接触。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该凸出体和该补偿图案由相同材料制成并具有相同厚度。如申请专利范围第10项所述之液晶显示装置，其中该凸出体和该补偿图案中二者均包含与该半导体层同一层的一半导体层图案以及与该半导体层图案上之该源极/汲极同一层的一源极/汲极电极层。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该补偿图案为闭合环形，且与该第二柱状间隔粒分离，该第二柱状间隔粒之第一表面与该第一基板相对。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中该补偿图案包含与该第二柱状间隔粒之第一表面等间距的复数个补偿图案，该第二柱状间隔粒之第一表面与该第一基板相对。如申请专利范围第13项所述之液晶显示装置，其中该复数个补偿图案位于对应于该第二柱状间隔粒周边之左右两侧。如申请专利范围第13项所述之液晶显示装置，其中该复数个补偿图案位于对应于该第二柱状间隔粒周边之上下两侧。如申请专利范围第13项所述之液晶显示装置，其中该复数个补偿图案位于该第二柱状间隔粒之左、右、上、下侧。如申请专利范围第13项所述之液晶显示装置，其中该复数个补偿图案之间的第一距离大于横跨该第二柱状间隔粒的第一表面之第二距离，该第一表面与该第一基板相对，该第二距离位于该第二柱状间隔粒的第一侧表面与第二侧表面之间，并且该第二距离小于该第二柱状间隔粒的第二表面上之第三距离，该第二表面与该第二基板相邻，且该第三距离位于该第二柱状间隔粒的该第一侧表面和该第二侧表面之间。如申请专利范围第17项所述之液晶显示装置，其中该第一和该第二基板之间的一接合边缘小于该第一距离与该第二距离之和的二分之一加上该补偿图案上表面的间距。如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置，其中当该第一和该第二基板彼此错误配向时，该第一柱状间隔粒和该凸出体并未重叠但该第二柱状间隔粒与该补偿图案产生部份重叠。一种包含第一和第二基板之液晶显示装置的制造方法，包含有：形成第一及第二柱状间隔粒于该第二基板上；形成一凸出体于该第一基板上，且该凸出体与该第一柱状间隔粒对应；形成一补偿图案于该第一基板上，且该补偿图案与该第二柱状间隔粒的四周对应；及配设一液晶层于该第一和该第二基板之间。如申请专利范围第20项所述之包含第一和第二基板之液晶显示装置的制造方法，更包含：形成彼此交叉之闸极线及资料线，以于该第一基板上定义一画素区域；形成一薄膜电晶体，该薄膜电晶体与该闸极线及该资料线之交叉处相邻；及形成一画素电极于该画素区域。如申请专利范围第21项所述之包含第一和第二基板之液晶显示装置的制造方法，其中形成该薄膜电晶体之步骤包含：形成一闸极，该闸极凸出于该闸极线；形成彼此分离之源极及汲极，该源极和该汲极位于该闸极上方；及形成一半导体层，该半导体层位于该闸极与该源极/汲极之间，并接触该源极和该汲极。如申请专利范围第22项所述之包含第一和第二基板之液晶显示装置的制造方法，其中该凸出体与该补偿图案均包含一半导体层图案和一源极/汲极电极层，该半导体图案与该半导体层形成于同一层，该源极/汲极电极层与该半导体层图案上之该源极/汲极形成于同一层。 |
