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一种电流源稳定方法，其系用于在温度改变的情况下稳定一电流源所输出之一电流值，该电流源之该电流值会随温度升高而上升，该方法包含：提供一修正电路，该电路之一输出电流随温度升高而上升，并且该电流随温度升高而上升的一系数与该电流源随温度升高而上升的一系数相等；提供一连接法，使该电流源之该电流值输出前与该输出电流相减；其中，该电流源之该电流值与该输出电流相减后，该电流源之该电流值输出时不随着温度改变。如申请专利范围第1项所述之电流源稳定方法，该电流源为一自偏金属氧化场效电压参考电流源。如申请专利范围第1项所述之电流源稳定方法，该修正电路为一启动电路。如申请专利范围第1项所述之电流源稳定方法，该修正电路主要由复数个金属氧化半导体(MOS)所构成。如申请专利范围第1项所述之电流源稳定方法，该修正电路不包含二极体。如申请专利范围第1项所述之电流源稳定方法，该修正电路耦接至该电流源。一种电流源稳定方法，其系用于在温度改变的情况下稳定一电流源所输出之一电流值，该电流源之该电流值会随温度升高而上升，该方法包含：提供一输入电流，该输入电流的值随温度升高而上升，并且上升的系数与该电流源之该电流值随温度提高而上升的系数相同；利用该电流源之该电流值于输出前与该输入电流相减，使该电流源之该电流值输出时，在温度改变的情况下不会改变。如申请专利范围第7项所述之电流源稳定方法，该输入电流系由一启动电路所提供。如申请专利范围第8项所述之电流源稳定方法，该启动电路系耦接于该电流源。如申请专利范围第8项所述之电流源稳定方法，该启动电路主要由复数个金属氧化半导体(MOS)所构成。如申请专利范围第8项所述之电流源稳定方法，该启动电路不包含二极体。如申请专利范围第7项所述之电流源稳定方法，该电流源为一自偏金属氧化场效电压参考电流源。 |
