发明名称 一种薄膜结构及薄膜结构之形成方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.06.01
申请号 TW097107864 申请日期 2008.03.06
申请人 华硕电脑股份有限公司 发明人 施崇棠;张木财;陈富明
分类号 B32B3/02;B32B3/24 主分类号 B32B3/02
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种薄膜结构,包含:至少一图案部份;至少一透明部份;至少一边界,位于该图案部份及该透明部份之交界处;以及多数个小孔,系形成于该边界周围之透明部份上。如申请专利范围第1项所述之薄膜结构,其中该边界具有至少一转角,该等小孔系位于该转角周围之透明部份上。如申请专利范围第1项所述之薄膜结构,其中该薄膜结构系可接合于一物体表面,该图案部份系环绕于该物体表面之至少一凹陷部设置,该透明部份系对应于该凹陷部设置。如申请专利范围第3项所述之薄膜结构,其中该边界系对应该物体表面及该凹陷部间之至少一不连续处。一种薄膜结构之形成方法,其中包含下列步骤:提供一薄膜;图案化该薄膜,俾形成至少一图案部份、至少一透明部份及至少一边界于该薄膜上,其中该边界系为该图案部份及该透明部份之交界;以及形成多数个小孔于该边界周围之透明部份上。如申请专利范围第5项所述之形成方法,其中该图案部份于该边界具有至少一转角,该等小孔系位于该转角周围之透明部份上。如申请专利范围第5项所述之形成方法,其中该薄膜结构系可接合于一物体表面,该图案部份系环绕于该物体表面之至少一凹陷部设置,该透明部份系对应于该凹陷部设置。如申请专利范围第7项所述之形成方法,其中该边界系对应该物体表面及该凹陷部间之至少一不连续处。
地址 台北市北投区立德路150号4楼