| 主权项 |
一种半导体元件，包括：一隔离结构位于一基底中，于该基底中定义出一第一主动区与一第二主动区与位于其彼此之间的一通道主动区，其彼此之间以该隔离结构相隔开；一场植入区位于该第一主动区、该第二主动区以及该通道主动区周围的部分该隔离结构下方，其中该通道主动区具有界定其通道宽度之二第一边缘，各该第一边缘与其相邻之该场植入区之一第二边缘相隔一间距d1，且各该第一主动区与各该第二主动区的之一第三边缘与该场植入区之该第二边缘延伸线之间具有最短的距离为d2，R=d1/d2，其中0.15@sIMGCHAR!d10029.TIF@eIMG!R@sIMGCHAR!d10030.TIF@eIMG!0.85；一闸极结构覆盖该通道主动区并延伸至部分该隔离结构上方；以及二源极/汲极掺杂区分别位于该第一主动区与该第二主动区中。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中0.26@sIMGCHAR!d10031.TIF@eIMG!R@sIMGCHAR!d10032.TIF@eIMG!0.52。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该场植入区所植入之掺质的导电型与该些源极/汲极掺杂区者相不同。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该半导体元件包括P型金氧半元件。如申请专利范围第4项所述之半导体元件，其中该P型金氧半元件包括P型高压元件。如申请专利范围第4项所述之半导体元件，其中该场植入区所植入之掺质为N型。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该半导体元件包括N型金氧半元件。如申请专利范围第7项所述之半导体元件，其中该N型金氧半元件包括N型高压元件。如申请专利范围第7项所述之半导体元件，其中该场植入区所植入之掺质为P型。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该场植入区围绕于该第一主动区、该第二主动区以及该通道主动区周围的部分该隔离结构下方。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中位于该场植入区之内的该隔离结构包括：一第一隔离结构，环绕于该第一主动区周围；一第二隔离结构，环绕于该第二主动区周围；以及一第三隔离结构，位于该通道主动区之该些第一边缘周围。如申请专利范围第11项所述之半导体元件，其中该第一隔离结构与该第二隔离结构突出于该通道主动区。如申请专利范围第11项所述之半导体元件，其中该第一隔离结构以及该第二隔离结构与该通道主动区大致共边界。如申请专利范围第11项所述之半导体元件，其中该通道主动区突出于该第一隔离结构与该第二隔离结构。如申请专利范围第14项所述之半导体元件，其中该第三隔离结构包覆突出于该第一隔离结构与该第二隔离结构之该通道主动区的边缘。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该隔离结构包括浅沟渠隔离结构。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该隔离结构包括场氧化层。 |
