| 主权项 |
一种可提供可变电阻值之可控制电阻电路，包含：一第一电晶体，具有一第一端子、一第二端子与一第三端子；一电容器，具有一第一端连接至该第一电晶体之第一端子以及一第二端连接至一参考节点；一充电单元，用以在一第一周期内对该电容器进行充电，该充电单元包含一第二电晶体，该第二电晶体具有一第四端子、一第五端子连接至一稳定电压供应端及一第六端子连接至该第一电晶体之第一端子；以及一放电单元，用以在一第二周期内对该电容器进行放电，该放电单元包含一第三电晶体与一电阻器，该第三电晶体具有一第七端子连接至该第二电晶体之第四端子，一第八端子连接至该电阻器之一第三端与一第九端子连接至该电容器之第二端，该电阻器另包含一第四端连接至该第一电晶体之第一端子；其中该可控制电阻电路之该可变电阻值系由该第一电晶体之第二端子与第三端子之间之等效电阻值来决定。如申请专利范围第1项所述之可提供可变电阻值之可控制电阻电路，其中该参考节点具有关于该第一电晶体之第三端子的一偏压电压值。如申请专利范围第1项所述之可提供可变电阻值之可控制电阻电路，其中该第一电晶体系为一金氧半场效电晶体(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)，该第一电晶体之第一端子为一闸极、该第一电晶体之第二端子为一汲极、该第一电晶体之第三端子为一源极。如申请专利范围第1项所述之可提供可变电阻值之可控制电阻电路，其中该第二电晶体为一P型金氧半场效电晶体(P-channel Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，PMOSFET)；以及该第三电晶体为一N型金氧半场效电晶体(N-channel Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，NMOSFET)；其中该第二电晶体之第四端子为一闸极，该第二电晶体之第五端子为一源极，该第二电晶体之第六端子为一汲极，该第三电晶体之第七端子为一闸极，该第三电晶体之第八端子为一汲极，以及该第三电晶体之第九端子为一源极。如申请专利范围第1项所述之可提供可变电阻值之可控制电阻电路，其中该电容器之第二端与该第一电晶体之第三端子皆连接至一接地端。如申请专利范围第1项所述之可提供可变电阻值之可控制电阻电路，其中该第一周期与该第二周期彼此不重叠。一种电阻电路，用以提供一可变电阻值，该电阻电路包含：一第一电晶体，具有一第一端子、一第二端子与一第三端子；一电容器，具有一第一端连接至该第一电晶体之第一端子、一第二端连接至一接地端；一电阻器，具有一第三端连接至该第一电晶体之第一端子、及一第四端；一第二电晶体，其具有一第四端子、一第五端子连接至一稳定电压供应端及一第六端子连接至该第一电晶体之第一端子；一第三电晶体，具有一第七端子连接至该第二电晶体之第四端子、一第八端子连接至该电阻器之第四端、及一第九端子；一第一电压源，具有一第五端连接至该第一电晶体之第三端子、及一第六端连接至该接地端；及一第二电压源，具有一第七端连接至该第三电晶体之第九端子、及一第八端连接至该接地端；其中该可变电阻值系由该第一电晶体之第二端子与第三端子之间之等效电阻值来决定。如申请专利范围第7项所述之电阻电路，其中该第一电晶体系为一金氧半场效电晶体(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)，该第一电晶体之第一端子为一闸极、该第一电晶体之第二端子为一汲极、该第一电晶体之第三端子为一源极。如申请专利范围第7项所述之电阻电路，其中该第二电晶体为一P型金氧半场效电晶体(P-channel Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，PMOSFET)；以及该第三电晶体为一N型金氧半场效电晶体(N-channel Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，NMOSFET)，其中该第二电晶体之第四端子为一闸极，该第二电晶体之第五端子为一源极，该第二电晶体之第六端子为一汲极，该第三电晶体之第七端子为一闸极，该第三电晶体之第八端子为一汲极，以及该第三电晶体之第九端子为一源极。一种滤波电路，用以提供一可变之电阻电容时间常数(Variable Resistance-Capacitance(RC)Time Constant)，该滤波电路包含：一第一电容器，具有一第一端用以接收一输入讯号，及一第二端用以输出一输出讯号；一第一电晶体，具有一第一端子、一第二端子连接至该第一电容器之第二端、及一第三端子连接至一接地端；一第二电容器，具有一第三端连接至该第一电晶体之第一端子、及一第四端连接至该接地端；一充电单元，用以于一第一周期内对该第二电容器进行充电，该充电单元包含一第二电晶体，该第二电晶体具有一第四端子，一第五端子连接至一稳定电压供应端及一第六端子连接至该第一电晶体之第一端子；以及一放电单元，用以在一第二周期内对该第二电容器进行放电，该放电单元包含一第三电晶体与一电阻器，该第三电晶体具有一第七端子连接至该第二电晶体之第四端子、一第八端子连接至该电阻器之一第五端，及一第九端子连接至该第二电容器之第四端，该电阻器还包含一第六端连接至该第一电晶体之第一端子；其中该滤波电路之可变电阻电容时间常数系由该第一电晶体之第二端子与第三端子之间之等效电阻值来决定。如申请专利范围第10项所述之滤波电路，其中该第一电晶体系为一金氧半场效电晶体(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)，该第一电晶体之第一端子为一闸极，该第一电晶体之第二端子为一汲极以及该第一电晶体之第三端子为一源极。如申请专利范围第10项所述之滤波电路，其中该第二电晶体为一P型金氧半场效电晶体(P-channel Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，PMOSFET)；以及该第三电晶体为一N型金氧半场效电晶体(N-channel Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，NMOSFET)，其中该第二电晶体之第四端子为一闸极，该第二电晶体之第五端子为一源极，该第二电晶体之第六端子为一汲极，该第三电晶体之第七端子为一闸极，该第三电晶体之第八端子为一汲极，该第三电晶体之第九端子为一源极。如申请专利范围第10项所述之滤波电路，其中该第一周期与该第二周期彼此不重叠。一种可提供可变电阻值之可控制电阻电路，包含：一第一电晶体，具有一第一端子、一第二端子与一第三端子；一电容器，具有一第一端连接至该第一电晶体之第一端子以及一第二端连接至一参考节点；一充电单元，用以在一第一周期内对该电容器进行充电；以及一放电单元，用以在一第二周期内对该电容器进行放电；其中该可控制电阻电路之该可变电阻值系由该第一电晶体之第二端子与第三端子之间之等效电阻值来决定，其中该充电单元系为一具有一第一开关之第一电流源，该放电单元系为一具有一第二开关之第二电流源；在该第一周期内，该第一开关呈闭路状态且该第二开关呈开路状态，以及在该第二周期内，该第二开关呈闭路状态且该第一开关呈开路状态。 |
