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一种电容器用铌粉，其特征为：具有铌层及氮化矽与铌的混合层，而前述混合层系存在于粉体粒子表面附近。如申请专利范围第1项之电容器用铌粉，其中混合层之厚度为8至2000nm。如申请专利范围第1项之电容器用铌粉，其中氮化矽之含量为50至500000质量ppm。如申请专利范围第1项之电容器用铌粉，其中氮化矽系为SiαNβ(式中，α及β表示正之整数)表示的化合物。如申请专利范围第4项之电容器用铌粉，其中氮化矽，系选自SiN、Si2N2、Si2N3及Si3N4中的至少1种。如申请专利范围第1项之电容器用铌粉，其中铌层及混合层中之铌，系选自纯铌、铌化合物、铌合金以及此等的氢化物中的至少1种。如申请专利范围第6项之电容器用铌粉，其中铌化合物，系选自氢化铌、氮化铌以及氧化铌中的至少1种。如申请专利范围第1项之电容器用铌粉，其中平均粒径为0.05至5μm。如申请专利范围第1项之电容器用铌物，其中比表面积为0.5至70m2/g。一种电容器用铌粉之制造方法，其特征为：具有将铌粉进行蚀刻的步骤、使氮化矽含浸于蚀刻孔内步骤、以及将蚀刻孔进行密封的步骤。如申请专利范围第10项之电容器用铌粉之制造方法，其中铌粉，系平均粒径0.05至5μm之一次粉，其凝聚粉、或者其造粒粉。如申请专利范围第10项之电容器用铌粉之制造方法，其中在蚀刻步骤之后而含浸步骤之前、含浸步骤之后而密封步骤之前、或者在密封步骤之后，含有将选自氮、氧、磷、硫、硒(Se)、以及鍗(Te)所成群中的至少1种元素进行掺杂的步骤。如申请专利范围第10项之电容器用铌粉之制造方法，其中蚀刻孔之密封步骤，系在平均粒径1至200nm之铌、铌化合物、铌合金以及此等的氢化物之存在下所进行。如申请专利范围第10项之电容器用铌粉之制造方法，其中铌粉，系选自铌、铌化合物、铌合金以及此等的氢化物中的至少1种。如申请专利范围第14项之电容器用铌粉之制造方法，其中铌化合物，系含有氮及/或氧的铌化合物。如申请专利范围第10项之电容器用铌粉之制造方法，其中蚀刻步骤中所用的蚀刻剂，系酸或硷。如申请专利范围第16项之电容器用铌粉之制造方法，其中蚀刻剂，系含有氢氟酸或氟醋酸的酸溶液。如申请专利范围第16项之电容器用铌粉之制造方法，其中蚀刻剂，系pH 10以上之硷溶液。如申请专利范围第10项之电容器用铌粉之制造方法，其中使其含浸的氮化矽，系平均粒径1至200nm之粒子。如申请专利范围第10项之电容器用铌粉之制造方法，其中在含浸步骤中进行超音波照射。一种电容器用铌造粒粉，系将申请专利范围第1项至第9项之任一项之电容器用铌粉造粒所成者。一种电容器用铌粉造粒粉，其特征为：具有铌层及氮化矽与铌之混合层，而前述混合层系在于外表面附近或孔内表面附近。如申请专利范围第22项之电容器用铌造粒粉，其中混合层之厚度为8至2000nm。如申请专利范围第22项之电容器用铌造粒粉，其中氮化矽之含量为50至500000质量ppm。如申请专利范围第21项或第22项之电容器用铌造粒粉，其中平均粒径为5至1000μm。如申请专利范围第21项或第22项之电容器用铌造粒粉，其中比表面积为0.5至40m2/g。如申请专利范围第21项或第22项之电容器用铌造粒粉，其中细孔直径分布之峰值，系在0.01至500μm之范围内存在有1个以上。如申请专利范围第25项之电容器用铌造粒粉，其中细孔直径分布之峰值，系在0.1至0.9μm至少存在有1个、在0.9至3μm至少存在有1个。一种电容器用铌烧结体，将将申请专利范围第1项至第9项之任一项之电容器用铌粉烧结所成者。一种电容器用铌烧结体，系将申请专利范围第21项至第28项之任一项之电容器用铌造粒粉烧结所成者。一种电容器用铌烧结体，其特征为：具有铌层及氮化矽与铌之混合层，而前述混合层系存在于烧结体之外表面附近及孔内表面附近。如申请专利范围第31项之电容器用铌烧结体，其中混合层之厚度为8至2000nm。如申请专利范围第31项之电容器用铌烧结体，其中氮化矽之含量为50至500000质量ppm。如申请专利范围第29项至第31项之任一项之电容器用铌烧结体，其中空孔率为55体积%以上。如申请专利范围第29项至第31项之任一项之电容器用铌烧结体，其中比表面积为0.006m2/mm3以上。如申请专利范围第29项至第31项之任一项之电容器用铌烧结体，其中比表面积为0.005至0.06m2/mm3。如申请专利范围第29项至第31项之任一项之电容器用铌烧结体，其中细孔直径分布之峰值在0.01至100μm之范围内存在有1个以上。如申请专利范围第37项之电容器用铌烧结体，其中细孔直径分布之峰值，系在未达1.0μm至少存在有1个、在1.0μm以上至少存在有1个。如申请专利范围第29项至第31项之任一项之电容器用铌烧结体，其中直径1μm以上之细孔容积，占全空孔容积之13体积%以上。如申请专利范围第29项至第31项之任一项之电容器用铌烧结体，其中容量为40000至400000μFV/g。一种电容器，其特征系由将申请专利范围第29项至第40项之任一项之电容器用铌烧结体作为一方之电极，及介在与对电极之间的介电体所构成者。如申请专利范围第41项之电容器，其中介电体，系以含有氮化矽的氧化铌作为主成分。一种电容器，系由将电容器用铌烧结体作为一方之电极，及介在与对电极之间的介电体所构成的电容器，而其特征为：前述介电体系以含有氮化矽的氧化铌作为主成分。如申请专利范围第41项或第43项之电容器，其中对电极之材料，系选自电解液、有机半导体以及无机半导体所成群中之至少1种材料。如申请专利范围第44项之电容器，其中有机半导体，系选自由苯并吡咯啉四聚物与氯醌(chloranil)所成有机半导体、以四硫代四@sIMGCHAR!d10021.TIF@eIMG!(tetrathiotetracene)作为主成分的有机半导体、以四氰基喹诺二甲烷作为主成分的有机半导体以及导电性高分子所成群中之至少1种。如申请专利范围第45项之电容器，其中导电性高分子，系选自聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺以及此等的取代衍生物中的至少1种。如申请专利范围第45项之电容器，系对含有可以下述一般式(1)或一般式(2)@sIMGTIF!d10005.TIF@eIMG!(式中，R1至R4分别独立表示氢原子、碳数1至10之直链状或支链状之饱和或不饱和烷基、烷氧基或烷酯基、或者选自卤原子、硝基、氰基、一级胺基、二级胺基、或三级胺基、CF3基、苯基以及取代苯基所成群中的一价基，R1与R2以及R3与R4之烃链可互相于任意位置结合，以形成与由该基接受取代的碳原子一起形成至少1个以上之3至7员环之饱和或不饱和烃之环状构造的二价链，前述环状之结合链，可于其任意位置含有羰基、醚、酯、醯胺、硫醚、亚硫醯基、硫醯基、亚胺基之结合，X表示氧、硫或氮原子，R5系仅在X为氮原子时存在而表示氢原子或者碳数1至10之直链状或支链状之饱和或不饱和之烷基)，表示的重复单元的聚合物，掺杂有掺质的导电性高分子。如申请专利范围第47项之电容器，其中导电性高分子，系对含有可以下述一般式(3)@sIMGTIF!d10006.TIF@eIMG!(式中，R6及R7分别独立表示氢原子、碳数1至6之直链状或支链状之饱和或不饱和烷基，或者该烷基互相于任意位置结合以形成含有2个氧元素的至少1个以上之5至7员环之饱和烃之环状构造的取代基，而前述环状构造中包含具有可被取代的伸乙烯基键者、可被取代的伸苯基构造者)，表示的重复单元的聚合物，掺杂有掺质的导电性高分子。如申请专利范围第48项之电容器，其中导电性高分子，系对聚(3，4一伸乙基二氧基噻吩)掺杂有掺质的导电性高分子。如申请专利范围41或43项之电容器，其中对电极之材料中之至少一部分，具有层状构造。如申请专利范围第41或第43项之电容器，其中对电极之材料中，含有有机磺酸阴离子作为掺质。一种电子电路，系使用申请专利范围第41项至第51项之任一项之电容器者。一种电子设备，系使用申请专利范围第41项至第51项之任一项之电容器者。 |
