| 主权项 |
一种半导体结构的形成方法，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成一闸极叠层；在邻接于该闸极叠层处形成一含矽化合物应力源，其中该含矽化合物应力源更包括一额外元素，该额外元素可与矽形成化合物；将在低温下不会形成矽化物的离子布植至该含矽化合物应力源内，以对该含矽化合物应力源的上部进行非晶化；当该含矽化合物应力源的上部为非晶态时，在该含矽化合物应力源上形成一金属层；以及进行退火制程，使得该金属层与该含矽化合物应力源反应而形成一矽化物区。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的形成方法，其中在该含矽化合物应力源中该额外元素的原子百分比约大于20%。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的形成方法，其中在该含矽化合物应力源中该额外元素的原子百分比约小于于5%。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的形成方法，其中该在低温下不会形成矽化物的离子系选自由氖、氩、氪、氙、氡、锑、铟、砷、氮以及碳构成的群组或其组合。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的形成方法，其中该在低温下不会形成矽化物的离子系选自由氮离子以及碳离子构成的群组。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的形成方法，其中该金属层系选自由镍、铂、钯、钒、钛、钴、钽、镱以及锆构成的群组或其组合。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的形成方法，其中布植该在低温下不会形成矽化物的离子的步骤所使用的能量约介于5keV与25keV之间。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的形成方法，更包括掺杂p型杂质至该含矽化合物应力源中，其中该杂质的剂量约大于1015/cm2。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的形成方法，其中在该含矽化合物应力源中该额外元素系选自由锗及碳构成的群组。一种半导体结构的形成方法，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成一闸极叠层；在邻接该闸极叠层处形成一含矽化合物应力源，其中该含矽化合物应力源更包括一元素，该元素可与矽形成化合物，该元素之原子百分比与矽以及该含矽化合物应力源中的该元素之原子百分比约大于20%；将选自由氮与碳构成的群组选取之一额外元素布植至该含矽化合物应力源，以对该含矽化合物应力源的上部进行非晶化；在该含矽化合物应力源上形成一金属层；以及进行退火制程，使得该金属层与该含矽化合物应力源反应而形成一矽化物区。如申请专利范围第19项所述之半导体结构的形成方法，其中该元素系选自由碳及锗构成的群组。如申请专利范围第19项所述之半导体结构的形成方法，其中布植该额外元素的步骤所使用的能量约介于5keV与10keV之间。一种半导体结构，包括：一半导体基底；一闸极叠层，形成在该半导体基底上；一含矽化合物应力源，邻接该闸极叠层，其中该含矽化合物应力源更包括一元素，该元素可与矽形成化合物；以及一矽化物区，形成在该含矽化合物应力源上，其中该矽化区与该含矽化合物应力源之介面的均匀度约介于10%至20%之间。如申请专利范围第13项所述之半导体结构，其中在该含矽化合物应力源中的该元素系选自由锗及碳构成的群组。如申请专利范围第13项所述之半导体结构，其中该矽化物区系非晶区。 |
