一种共极型薄膜太阳电池的制备方法

摘要

一种共极型薄膜太阳电池，涉及薄膜技术和新能源开发技术领域。从底层至上层依次为：玻璃衬底、ITO透明电极、p层(p+和p)、i层、n层、i层、p层(p和p+)和ITO电极，从上、下ITO透明电极层引出引线为共电极作为正极，从n层引出引线为负极。本发明的共极型薄膜太阳电池稳定性好、双面受光、内阻损耗低、转换效率高、填充因子高以及I-V特性好。

主权项

一种共极型薄膜太阳电池的制备方法，具体为：(1)在透明衬底上，首先制成绒面结构，以增强光吸收性能；(2)制备ITO透明电极；(3)利用等离子体化学气相沉积系统依次制备p+、p、i、n、i、p、p+薄膜层；(4)制备ITO透明电极；(5)进行太阳电池版刻蚀和封装后续工艺；所述步骤(2)和(4)中ITO透明电极的具体制备过程为：玻璃衬底首先在碱液中清洗，然后置于HF溶液中浸泡10min，完成后用去离子水清洗，在烘箱内烘干，溅射前真空室本底真空高于3.6×10‑4Pa，在导入总流量为100mL/min、体积比为3.5∶1.5的Ar和O2的混合气体后溅射成膜；步骤(3)中利用PECVD方法制备纳米硅本征吸收层即i层，其中所用硅烷的稀释比[SiH4]/[SiH4+H2]是5％；利用PECVD方法和硼的掺杂制备P型纳米硅薄膜，硼烷与硅烷的体积流量比小于2∶1；所用硅烷的稀释比[SiH4]/[SiH4+H2]是5％，硼烷的稀释比[B2H6]/[B2H6+H2]是0.5％；利用PECVD方法和硼的掺杂制备P+型纳米硅薄膜，硼烷与硅烷的体积流量比大于1∶1；所用硅烷的稀释比[SiH4]/[SiH4+H2]是5％，硼烷的稀释比[B2H6]/[B2H6+H2]是0.5％；利用PECVD方法和磷的掺杂来制备N型纳米硅薄膜，磷烷与硅烷的流量比在体积1∶20～4∶25；其中所用硅烷的稀释比[SiH4]/[SiH4+H2]是5％，磷烷的稀释比[PH3]/[PH3+H2]是0.5％。