用于钝化硅晶片的沉积方法

摘要

衬底(4)装配到衬底载板(3)的高架衬底支撑件(31)上。具有衬底的衬底载板然后放置于等离子体反应器(8)中。由于高架衬底支撑件，衬底的两个相反侧暴露于等离子体(6)并且因此涂覆有电钝化层(7)。

主权项

一种用于向硅晶片(4)上施加非晶态氢化碳的双面沉积(7)的方法，所述晶片(4)包括第一主侧和第二主侧，所述第一主侧具有在所述第一主侧的边界上的第一斜面，所述第二主侧具有中心区和在所述第二主侧的包围所述中心区的边界上的第二斜面，所述第二主侧与所述第一主侧相反布置，所述方法包括以下步骤：在衬底载板(3)的衬底支撑件(31)上装配所述晶片(4)，所述衬底支撑件(31)被形成为使得所述晶片(4)放置于所述衬底支撑件(31)上而仅它的所述第二主侧的中心区与所述衬底支撑件(31)接触；并且在等离子体反应器的反应室(8)中放置具有所述晶片(4)的所述衬底载板，其中所述第一斜面和所述第二斜面同时暴露于等离子体(6)以便产生所述沉积(7)，其中非晶态氢化碳用作所述等离子体。