发明名称 用于原子层沉积的设备
摘要 本发明的实施例提供了用于例如等离子体增强ALD(PE-ALD)的原子层沉积(ALD)的设备。在一个实施例中,提供了莲喷头组件,其包括莲喷头板,该莲喷头板具有上表面、下表面、从莲喷头板的中心向外边缘延伸的半径,与上表面和下表面流体相通的第一多个孔和与上表面和下表面流体相通的第二多个孔,第一多个孔位于第一区域内,第一区域从莲喷头板的中心延伸到莲喷头板的半径的约25%,并且每个孔具有小于0.1英寸的直径,第二多个孔位于第二区域内,第二区域从莲喷头板的半径的约25%延伸到大约莲喷头板的外边缘,并且每个孔具有大于0.1英寸的直径。
申请公布号 CN102084461A 申请公布日期 2011.06.01
申请号 CN200980126061.X 申请日期 2009.07.02
申请人 应用材料公司 发明人 哈曼·拉姆;博·郑;爱·华;迈克尔·杰克逊;小雄·袁;侯·功·王;萨尔瓦多·P·安摩托伊;萨恩·河·裕
分类号 H01L21/205(2006.01)I 主分类号 H01L21/205(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 王安武
主权项 一种用于气相沉积过程的莲喷头组件,包括:莲喷头板,其具有上表面、下表面和从所述莲喷头板的中心向外边缘延伸的半径;第一多个孔,与所述上表面和所述下表面流体相通,所述第一多个孔位于第一区域内,所述第一区域从所述莲喷头板的中心延伸到所述莲喷头板的半径的约25%,并且每个孔具有小于0.1英寸的直径;以及第二多个孔,与所述上表面和所述下表面流体相通,所述第二多个孔位于第二区域内,所述第二区域从所述莲喷头板的半径的约25%延伸到大约所述莲喷头板的外边缘,并且每个孔具有大于0.1英寸的直径。
地址 美国加利福尼亚州