| 发明名称 | 制造Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N单晶的方法、Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N单晶和光学透镜 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种通过以升华法生长AlxGa(1-x)N单晶(10)来制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶(10)的步骤。所述AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250至300nm的光显示2.4以上的折射率，并且对波长超过300nm并且短于350nm的光显示2.3以上的折射率，每个折射率都是在300K下测定的。 | ||
| 申请公布号 | CN102084040A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200980125962.7 | 申请日期 | 2009.06.25 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 荒川聪;樱田隆;山本喜之;佐藤一成;谷崎圭祐;中幡英章;水原奈保;宫永伦正 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I;G02B1/02(2006.01)I;G02B3/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 一种制造AlxGa(1‑x)N单晶(10)的方法，所述AlxGa(1‑x)N(0＜x≤1)单晶(10，12)是通过升华法生长的，所述方法包括下述步骤：准备底部衬底(11)，准备高纯度原料(17)，以及通过升华所述原料(17)而在所述底部衬底(11)上生长所述AlxGa(1‑x)N单晶(10，12)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||