| 发明名称 | 一种IGBT关断浪涌电压箝位及抑制电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT关断浪涌电压箝位及抑制电路，包括：双电源驱动放大电路、瞬态抑制二极管电路、IGBT薄膜吸收电容、VCE检测电路以及IGBT驱动芯片，其中双电源驱动放大电路包括正电源(VCC)、负电源(VEE)、PNP三极管(Q1)、NPN三极管(Q2)、门极关断电阻(R2)、门极开启电阻(R3)以及限流电组(R1)，PNP三极管(Q1)和NPN三极管(Q2)组成集电极互补推挽功率驱动放大电路。本发明提供的电路首先从源头减小IGBT关断时产生的浪涌电压值，其次使用瞬态抑制电路和薄膜电容对已产生的关断浪涌电压进行箝位和抑制，非常可靠和有效的保证了电机驱动系统的正常运行。 | ||
| 申请公布号 | CN102082429A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN201010602991.2 | 申请日期 | 2010.12.24 |
| 申请人 | 奇瑞汽车股份有限公司 | 发明人 | 吴瑞;王野;闫永亮;顾伟 |
| 分类号 | H02H9/04(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京五月天专利商标代理有限公司 11294 | 代理人 | 吴宝泰;何宜章 |
| 主权项 | 一种IGBT关断浪涌电压箝位及抑制电路，其特征在于，包括：双电源驱动放大电路、瞬态抑制二极管电路、IGBT薄膜吸收电容、VCE检测电路以及IGBT驱动芯片，其中双电源驱动放大电路包括正电源(VCC)、负电源(VEE)、PNP三极管(Q1)、NPN三极管(Q2)、门极关断电阻(R2)、门极开启电阻(R3)以及限流电组(R1)，PNP三极管(Q1)和NPN三极管(Q2)组成集电极互补推挽功率驱动放大电路。 | ||
| 地址 | 241009 安徽省芜湖经济技术开发区长春路8号 | ||