可改变耐压的瞬态电压抑制器的制造方法

摘要

本发明公开了一种可改变耐压的瞬态电压抑制器制造方法，其包括下列步骤：提供基板、图案化基板、清洗基板、热处理基板、及形成金属电极。利用改变基板热处理时的温度，可形成不同厚度的氧化绝缘层的性质，来改变瞬态电压抑制器的耐压，以此可有效地减少瞬态电压抑制器应用于低电压时的漏电流。此外在热处理过程中又使用了含氯气体，所以氧化绝缘层中含有氯分子，因而可依赖氯分子达到稳定电荷的功效。

主权项

一种可改变耐压的瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：(1)提供基板：基板具有一对以驱入扩散的方式形成于基板两侧的深度掺杂层，所述的深度掺杂层分别为第一型深度掺杂层和第二型深度掺杂层，第一型深度掺杂层与第二型深度掺杂层之间形成有第一型原始基板层；(2)图案化基板：对第二型深度掺杂层和第一型原始基板层进行蚀刻，蚀刻的深度为穿透第二型深度掺杂层，并至少在第一型原始基板层上形成沟槽；(3)清洗基板：首先在蚀刻溶液中浸泡基板，所述的蚀刻溶液由氢氟酸和去离子水以第一溶液体积比组成，然后用混合酸溶液清洗基板，所述的混合酸由硝酸、氢氟酸和醋酸溶液以第二溶液体积比组成，最后用王水溶液浸泡基板，王水溶液由硝酸、盐酸和去离子水以第三溶液体积比组成；(4)热处理基板：首先在氮气环境下以第一温度热处理3分钟，然后在氮气、含氯气体和氧气的混合气体环境下以第二温度热处理17分钟，再在氮气、含氯气体和氧气的混合气体环境下以第三温度热处理90分钟，然后在氮气和氧气的混合气体环境下以第四温度热处理2分钟，最后在氮气环境下以第五温度热处理10秒钟，最终在所述的沟槽表面形成氧化绝缘层；(5)形成一对金属电极：对基板进行金属化处理，在第一型深度掺杂层和第二型深度掺杂层的表面形成一对金属电极，上述的氧化绝缘层裸露于所形成的金属电极之外。