绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(6)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该源场板(9)位于钝化层(8)上，且与源极(4)电气连接，其中，在自源场板到漏极方向的钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板与源场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、击穿电压高和可靠性好的优点，可制作基于III-V族化合物半导体材料异质结结构的高频大功率器件。

主权项

一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(6)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该源场板(9)位于钝化层(8)上，且与源极(4)电气连接，其特征在于，在自源场板到漏极方向的钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)，n≥1，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增，并以源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离为起始点，该距离为0.05～3μm，这些浮空场板与源场板共同形成加长的复合源场板结构。