发明名称 薄膜型太阳能电池及其制造方法
摘要 本发明公开了一种薄膜型太阳能电池及其制造方法,所述薄膜型太阳能电池包括:在基板上形成的前电极;在所述前电极上形成的半导体层;在所述半导体层上形成的透明导电层;在所述透明导电层上方形成的后电极;以及在所述透明导电层与所述后电极之间形成的缓冲层,用以减小所述后电极的电阻并提高所述透明导电层与所述后电极之间的结合强度。
申请公布号 CN101515606B 申请公布日期 2011.06.01
申请号 CN200910009138.7 申请日期 2009.02.20
申请人 周星工程股份有限公司 发明人 金宰湖
分类号 H01L31/042(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/042(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 陈英俊
主权项 一种薄膜型太阳能电池,包括:在基板上形成的前电极;在所述前电极上形成的半导体层;在所述半导体层上形成的透明导电层;在所述透明导电层上方形成的后电极;以及缓冲层,在所述透明导电层与所述后电极之间形成,用以减小所述后电极的电阻并提高所述透明导电层与所述后电极之间的结合强度,其中,所述缓冲层由顺序地沉积的金属层和氧化物层组成,其中在相同的烘焙条件下,所述金属层的氧化度高于所述后电极所用材料的氧化度,所述氧化物层由所述金属层的氧化物形成,并且所述氧化物层的电阻小于所述后电极的氧化物的电阻。
地址 韩国京畿道