Ⅲ族氮化物半导体激光器

摘要

本发明提供了一种III族氮化物半导体激光器，该III族氮化物半导体激光器具有良好的光学限制特性，并且包括具有良好晶体质量的InGaN阱层。在第一光引导层(21)与第二光引导层(23)之间设置有源层(19)。有源层(19)可以包括阱层(27a)、(27b)和(27c)，并且还包括在所述阱层之间设置的至少一个第一势垒层(29a)。第一光引导层(21)和第二光引导层(23)分别包括比第一势垒层(29a)的带隙(E29)小的第一InGaN区21a和第二InGaN区23a，并且因此可以使得第一光引导层(21)和第二光引导层(23)的平均折射率(n引导)大于第一势垒层(29a)的折射率(n29)。因此，实现了良好的光学限制。第一势垒层(29a)的带隙(E29)大于第一InGaN区(21a)的带隙(E21)和第二InGaN区(23a)的带隙(E23)。

主权项

一种III族氮化物半导体激光器，包括：具有主表面的衬底；n型熔覆层，其设置在所述衬底上并且由III族氮化物半导体组成；p型熔覆层，其设置在所述衬底上并且由III族氮化物半导体组成；有源层，其设置在所述n型熔覆层与所述p型熔覆层之间；第一光引导层，其设置在所述n型熔覆层与所述有源层之间；以及第二光引导层，其设置在所述p型熔覆层与所述有源层之间，其中，所述有源层包括多个阱层和在所述多个阱层之间设置的至少一个第一势垒层，所述第一光引导层包括由InGaN组成的第一InGaN区，所述InGaN的带隙小于所述第一势垒层的带隙并且大于所述阱层的带隙，所述第二光引导层包括由InGaN组成的第二InGaN区，在所述有源层的多个阱层之中，最靠近所述第一光引导层的阱层是第一阱层，在所述有源层的多个阱层之中，最靠近所述第二光引导层的阱层是第二阱层，所述有源层包括第二势垒层和第三势垒层，所述第二势垒层设置在所述第一阱层与所述第一光引导层之间，所述第三势垒层设置在所述第二阱层与所述第二光引导层之间，所述第二光引导层还包括第三InGaN区，所述第三InGaN区设置在所述第三势垒层与所述第二InGaN区之间，以及所述第三InGaN区具有从所述第三势垒层朝着所述第二InGaN区逐渐增加的铟组分。