发明名称 |
具有双超浅隔离结构的多点式SOI晶体管 |
摘要 |
本发明揭露一种具有双超浅隔离结构的多点式SOI晶体管,其包含至少邻接的二晶体管单元,各晶体管单元水平设于SOI基板的硅层中,且相邻晶体管单元互相对称设置,每一晶体管单元包含一第一、第二超浅沟槽结构、一第一、第二型掺杂区,一介于二超浅沟槽结构之间的第二型轻掺杂区。第一、第二型掺杂区不但分别与第一、第二超浅沟槽结构邻接,并与第二型轻掺杂区邻接,另外在第二型轻掺杂区的表面形成一第一型射极结构。本发明能使与基极连接的基极连接导线的内阻变小,以减少整个器件的功率消耗。 |
申请公布号 |
CN101697352B |
申请公布日期 |
2011.06.01 |
申请号 |
CN200910198057.6 |
申请日期 |
2009.10.30 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
彭树根;高明辉;周建华 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
一种具有双超浅隔离结构的多点式SOI晶体管,其特征在于包含:一SOI基板,其包含一硅层,所述硅层周围形成有一隔离结构;以及至少二晶体管单元,其水平设于所述硅层中,且每一所述晶体管单元彼此邻接,相邻两晶体管单元互相对称设置,每一晶体管单元包含:一第一型掺杂区,其位于所述硅层中,以作为集电极;一第二型掺杂区,其位于所述硅层中,且与所述第一型掺杂区邻接;一第一超浅隔离结构,其位于所述硅层中,并与所述第一型掺杂区邻接;一第二超浅隔离结构,其位于所述硅层中,并与所述第二型掺杂区邻接;一第二型轻掺杂区,其位于所述第一、第二超浅隔离结构之间,且与所述第一、第二型掺杂区邻接,以作为基极;以及一第一型射极结构,其位于所述SOI基板表面,且于所述第二型轻掺杂区的上面。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |