| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种具有增加了探针接触强度的焊盘的半导体器件。半导体器件具有：半导体衬底；半导体元件，其形成在半导体衬底上；绝缘膜，其覆盖半导体元件，并且形成在半导体衬底的上方；多层布线结构，其形成在绝缘膜中；焊盘电极结构，其与多层布线结构连接，并形成在绝缘膜上，而且具有导电紧贴膜、导电焊盘电极以及导电性氢阻挡膜，其中，该导电焊盘电极形成在导电紧贴膜的上方，该导电性氢阻挡膜形成在导电焊盘电极的上方。 | ||
| 申请公布号 | CN101326634B | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200580052239.2 | 申请日期 | 2005.12.08 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 王文生 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底；半导体元件，其形成在所述半导体衬底上；绝缘膜，其覆盖所述半导体元件，并形成在所述半导体衬底的上方；多层布线结构，其形成在所述绝缘膜中；焊盘电极结构，其与所述多层布线结构连接，并形成在所述绝缘膜上，而且具有导电紧贴膜、导电焊盘电极以及导电性氢阻挡膜，其中，所述导电焊盘电极形成在所述导电紧贴膜的上方，所述导电性氢阻挡膜形成在所述导电焊盘电极的上方。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横浜市 | ||