一种高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法

摘要

本发明高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法，完成分子束外延设备/系统的各项生长准备程序，在生长腔中外延生长GaAs(001)高温缓冲层，以提高异质生长的界面质量；然后降温至设定生长温度，生长InAs浸润层，随后在该生长温度采用间歇式沉积的方法生长In1-xMnxAs纳米点，0.23≤x≤0.56；沉积结束后将衬底温度降温，将样品连同样品台自缓冲腔和进出腔取出，并从样品台上取下。本发明采用间隙式生长方式，得到的高Mn含量(In，Mn)As纳米点外延生长于GaAs(001)单晶表面，保持GaAs(001)单晶的闪锌矿结构，而其中Mn替代In的浓度高达23-56％。

主权项

一种高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)完成分子束外延设备/系统的各项生长准备程序：确认系统中安装有In、Mn、Ga、As源；在超净间将GaAs(001)单晶衬底切割并用In粘附于样品台上；在进出腔中对于衬底及样品台进行去水气烘烤，在缓冲腔中对于衬底及样品台进行去有机杂质的烘烤；用液氮冷却生长腔，以提高背景真空度；(2)在生长腔中外延生长GaAs(001)高温缓冲层，以提高异质生长的界面质量；然后降温至设定生长温度，生长InAs浸润层，随后在该生长温度采用间歇式沉积的方法生长In1‑xMnxAs纳米点，0.23≤x≤0.56；(3)沉积结束后将衬底温度降温，将样品连同样品台自缓冲腔和进出腔取出，并从样品台上取下。