发明名称 |
一种顶栅结构场致发射显示器后板及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种顶栅结构场致发射显示器后板及其制作方法,按照以下步骤:(1)制作阴极;(2)制作下层SiO2绝缘层;(3)制作绝缘介质层;(4)制作上层SiO2绝缘层;(5)制作顶删极;(6)制作阴极发射体,完成后板的制作。本发明的改进印刷型场致发射显示器后板的制作工艺,提高了顶栅结构FED后板栅极与阴极之间的绝缘性能,保证整个场致发射显示器的可靠性和稳定性。 |
申请公布号 |
CN101702395B |
申请公布日期 |
2011.06.01 |
申请号 |
CN200910218652.1 |
申请日期 |
2009.10.29 |
申请人 |
彩虹集团公司 |
发明人 |
李军 |
分类号 |
H01J31/12(2006.01)I;H01J29/02(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J31/12(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
汪人和 |
主权项 |
一种顶栅结构场致发射显示器后板的制作方法,其特征在于,按照以下步骤:1)、制作阴极:用去污粉和去离子水分别超声清洗玻璃基板(1)并用气枪吹干,然后用精密丝网印刷机在玻璃基板(1)上印刷阴极(2),玻璃基板(1)上的印刷阴极(2)在100℃干燥20min后烧结,烧结温度为370℃,保温20min,570℃保温20min,升温速率5℃/min,得到阴极(2);2)、制作下层SiO2绝缘层:利用磁控溅射法,用镍合金片制作掩膜,在阴极(2)上溅射SiO2膜,获得下层SiO2绝缘层(3),下层SiO2绝缘层(3)厚度为200nm;3)、制作绝缘介质层:在下层SiO2绝缘层(3)上印刷绝缘介质层(4),印刷好的绝缘介质层(4)在100℃干燥20min后烧结,烧结温度为370℃,保温20min,580℃保温20min,升温速率5℃/min,得到绝缘介质层(4);4)、制作上层SiO2绝缘层:利用磁控溅射法,用镍合金片制作掩膜,在绝缘介质层(4)上溅射SiO2膜,获得上层SiO2绝缘层(5),上层SiO2绝缘层(5)厚度为200nm;5)、制作栅极:在上层SiO2绝缘层(5)上印刷栅极(6)银浆料,印刷好的栅极(6)银浆料在100℃干燥20min后烧结,烧结温度为370℃保温20min,570℃保温20min,升温速率5℃/min,得到栅极(6);6)、制作阴极发射体:碳纳米管、有机载体和金属填料混合均匀配制成浆料,浆料中碳纳米管的质量分数为8%‑20%,金属填料的质量分数为4%‑10%,余量为有机载体;将浆料印刷在阴极(2)上,并在120℃干燥20min后烧结,烧结温度为340℃保温20min,450℃保温20min,升温速率5℃/min,得到阴极发射体(7),完成后板的制作。 |
地址 |
712021 陕西省咸阳市彩虹路1号 |