一种增益单元eDRAM单元、存储器及操作方法

摘要

本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体管和接到固定电压的公共位线而获得，使该增益单元eDRAM单元具有数据保持时间长、刷新频率低的特点，由该增益单元eDRAM单元形成的存储器具有读取速度快、功耗低的特点。

主权项

一种增益单元eDRAM单元，包括写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线，其特征在于，还包括耦合互补MOS晶体管和接固定电压的公共位线，所述耦合互补MOS晶体管的源端/漏端连接所述接固定电压的公共位线，所述耦合互补MOS晶体管的栅极连接所述读位线，所述耦合互补MOS晶体管的漏端/源端连接所述写MOS晶体管的漏端/源端以及所述读MOS晶体管的栅极，等效寄生电容形成于所述读MOS晶体管的栅极。