| 发明名称 | 一种高功率低电压硅基薄膜太阳能电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高功率低电压非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法。该方法包括步骤：激光刻划前电极层P1；激光刻划硅基薄膜层P2；激光刻划背电极层P3，其特征在于：所述激光刻划前电极层P1、硅基薄膜层P2和背电极层P3分别形成第一沟道、第二沟道和第三沟道；所述前电极层、硅基薄膜层和背电极层具有数个子电池区域；相邻的子电池区域之间具有共用区域电极。本发明所批露的方法可以制造高功率、低电压的太阳能电池。 | ||
| 申请公布号 | CN102082198A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN201010502031.9 | 申请日期 | 2010.09.30 |
| 申请人 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 发明人 | 李毅;郭权发;李全相 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市毅颖专利商标事务所 44233 | 代理人 | 张艺影 |
| 主权项 | 一种高功率低电压硅基薄膜太阳能电池的制造方法，包括：激光刻划前电极层P1；激光刻划硅基薄膜层P2；激光刻划背电极层P3，其特征在于：所述激光刻划前电极层P1、硅基薄膜层P2和背电极层P3分别形成第一沟道、第二沟道和第三沟道；所述前电极层、硅基薄膜层和背电极层具有数个子电池区域；相邻的子电池区域之间具有共用区域电极。 | ||
| 地址 | 518029 广东省深圳市福田区八卦三路光纤小区二栋五楼东座、八楼东座 | ||