| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在衬底内形成用于隔离有源区的浅沟槽隔离区STI，并在有源区分别形成N型金属氧化物半导体NMOS管、P型金属氧化物半导体PMOS管的栅极结构后，在NMOS管和PMOS管的栅极结构两侧的衬底上进行轻掺杂漏LDD注入，在衬底以及NMOS管和PMOS管的栅极结构的表面形成第一介质层；进行退火；在第一介质层之上形成第二介质层；蚀刻并去除位于衬底上的第二介质层，形成NMOS管和PMOS管的栅极结构的侧壁层；分别在NMOS管和PMOS管的侧壁层两侧的半导体衬底上进行离子注入，形成NMOS管和PMOS管的漏极、源极。采用该方法能够提高半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102082127A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200910199649.X | 申请日期 | 2009.11.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 唐兆云;何有丰 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，在衬底内形成用于隔离有源区的浅沟槽隔离区STI，并在有源区分别形成N型金属氧化物半导体NMOS管、P型金属氧化物半导体PMOS管的栅极结构后，在NMOS管和PMOS管的栅极结构两侧的衬底上进行轻掺杂漏LDD注入，其特征在于，该方法还包括：在衬底以及NMOS管和PMOS管的栅极结构的表面形成第一介质层；进行退火；在第一介质层之上形成第二介质层；蚀刻并去除位于衬底上的第二介质层，形成NMOS管和PMOS管的栅极结构的侧壁层；分别在NMOS管和PMOS管的侧壁层两侧的半导体衬底上进行离子注入，形成NMOS管和PMOS管的漏极、源极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||