半导体装置

摘要

本发明提供了一种半导体装置，其利用耐热性200℃的连接方法，能够通过将Sn-(1～10质量％)Cu-(0.05～0.5质量％)Ni焊锡与Ni系层组合抑制界面反应和抑制在流过大电流时的半导体元件的连接部中的空洞形成，并且能够使用Sn系焊锡作为高铅焊锡的代替连接材料得到与高铅焊锡为同等的电和机械的特性。

主权项

一种在构件上安装了半导体元件的半导体装置，其特征在于：连接上述构件与上述半导体元件的第一连接部具有：在上述构件上形成的第一Ni系层；在上述第一Ni系层上形成的以Cu‑Ni‑Sn化合物为主体的第一金属间化合物层；以及在上述第一金属间化合物层与上述半导体元件之间形成的、含有Cu‑Ni‑Sn化合物的Sn‑Ni‑Cu系焊锡层，上述Sn‑Ni‑Cu系焊锡层将上述第一金属间化合物层与上述半导体元件连接。