| 发明名称 | 多种器件集成工艺中栅极间隙壁的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种多种器件集成工艺中栅极间隙壁的制造方法，包括：在已形成有多晶硅栅极的衬底表面依次形成氧化硅层和氮化硅层；干法蚀刻氮化硅层，仅保留多晶硅栅极侧壁部分，并暴露出氧化硅层；以含氢氟酸的腐蚀液蚀刻氧化硅层，仅保留多晶硅栅极侧壁部分，并暴露出衬底。所述栅极间隙壁的制造方法不会损伤衬底表面，有利于多种器件集成工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN102082124A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200910246103.5 | 申请日期 | 2009.12.01 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 吴孝嘉;罗泽煌;郭立;涂晶晶 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种多种器件集成工艺中栅极间隙壁的制造方法，其特征在于，包括：在已形成有多晶硅栅极的衬底表面依次形成氧化硅层和氮化硅层；干法蚀刻氮化硅层，仅保留多晶硅栅极侧壁部分，并暴露出氧化硅层；以含氢氟酸的腐蚀液蚀刻氧化硅层，仅保留多晶硅栅极侧壁部分，并暴露出衬底。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||