| 发明名称 | 跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种提高跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法，采用圆环形结构在N型漂移区形成P型同心环，通过调整P型同心环的半径控制P型杂质总量，从而与N型杂质达到电荷平衡，提高跑道形器件结构弯道部分耐压的方式。传统方式是在弯道部分形成简单的PN结，PN结的反向耐压即为器件弯道部分的耐压，这种方式虽然简单，但却使弯道部分不存在沟道，从而浪费了芯片面积。采用该发明不仅可以在跑道形器件结构的弯道部分提高耐压，而且可以在弯道部分保留沟道，使器件电流变大，达到有效利用芯片面积，增大电流，降低导通电阻的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN102082173A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200910188535.5 | 申请日期 | 2009.12.01 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 吴孝嘉;罗泽煌;韩广涛 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 一种跑道形NLDMOS晶体管，包括直道部分和弯道部分，其特征在于：所述弯道部分包括弯道N型漂移区及与所述弯道N型漂移区相邻设置的弯道P型条。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||