发明名称 光刻机曝光剂量控制方法
摘要 本发明的光刻机曝光剂量控制方法包括以下步骤:步骤1,向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件;所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req;步骤2,光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析,选择偏好数学模型进行运算,得到剂量控制参数;步骤3,光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数,控制光刻机进行曝光。本发明的光刻机曝光剂量控制方法灵活性强,测试过程中,操作简单、直观。
申请公布号 CN102081307A 申请公布日期 2011.06.01
申请号 CN200910199446.0 申请日期 2009.11.26
申请人 上海微电子装备有限公司 发明人 张俊;张志钢;罗闻
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种光刻机曝光剂量控制方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件;所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req;步骤2,光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析,选择偏好数学模型进行运算,得到剂量控制参数;步骤3,光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数,控制光刻机进行曝光。
地址 201203 上海市张江高科技园区张东路1525号
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