发明名称 |
光刻机曝光剂量控制方法 |
摘要 |
本发明的光刻机曝光剂量控制方法包括以下步骤:步骤1,向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件;所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req;步骤2,光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析,选择偏好数学模型进行运算,得到剂量控制参数;步骤3,光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数,控制光刻机进行曝光。本发明的光刻机曝光剂量控制方法灵活性强,测试过程中,操作简单、直观。 |
申请公布号 |
CN102081307A |
申请公布日期 |
2011.06.01 |
申请号 |
CN200910199446.0 |
申请日期 |
2009.11.26 |
申请人 |
上海微电子装备有限公司 |
发明人 |
张俊;张志钢;罗闻 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种光刻机曝光剂量控制方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件;所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req;步骤2,光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析,选择偏好数学模型进行运算,得到剂量控制参数;步骤3,光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数,控制光刻机进行曝光。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技园区张东路1525号 |