| 发明名称 | 动态驱动的深N阱电路 | ||
| 摘要 | 一种电路，包括：具有漏极和源极的NMOS晶体管、包含漏极和源极的p阱、位于p阱下的n阱以及被配置成响应于第一开关信号的使能阶段而选择性地将n阱连接至预定电压的第一阱开关。第一阱开关可以被配置成在第一开关信号的使能阶段将n阱连接至预定电压并且在第一开关信号的非使能阶段使n阱电浮动。 | ||
| 申请公布号 | CN102084489A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200980125010.5 | 申请日期 | 2009.06.10 |
| 申请人 | 美国亚德诺半导体公司 | 发明人 | J·M·布朗斯里斯;S·R·科斯克;C·D·皮特森 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种电路，包含：具有漏极和源极的NMOS晶体管；包含所述漏极和所述源极的p阱；位于所述p阱下的n阱；以及第一阱开关，被配置成响应于第一开关信号的使能阶段而选择性地将所述n阱连接至预定电压。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||