| 发明名称 | 超浅结结构的形成方法与PMOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种超浅结的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中进行第一离子注入，形成第一注入区；对所述第一注入区进行第二离子注入，对所述第一注入区进行非晶化；对非晶化后的第一注入区进行第三离子注入，至此，形成超浅结结构。其中，所述第一离子为氟化亚硼离子，所述第二离子是为四价离子，所述第三离子为硼离子。本发明还提供一种PMOS晶体管的形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102082085A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200910246102.0 | 申请日期 | 2009.12.01 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 杜建;菜建瓴;李佳佳;王德进;张克云;方浩 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种超浅结的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中进行第一离子注入，形成第一注入区；对所述第一注入区进行第二离子注入，对所述第一注入区进行非晶化；对非晶化后的第一注入区进行第三离子注入，形成超浅结结构。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||