| 发明名称 | EUV光刻设备的源模块、光刻设备以及用于制造器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用在光刻设备中的源模块(10)被构造以产生极紫外(EUV)和伴随辐射，且包括被配置以与EUV辐射的源协作的缓冲气体。所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率，对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。 | ||
| 申请公布号 | CN102084299A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200980126024.9 | 申请日期 | 2009.07.13 |
| 申请人 | ASML荷兰有限公司 | 发明人 | M·范赫鹏;W·索尔;A·亚库宁 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;H05G2/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种用在光刻设备中的源模块，所述源模块被构造成产生极紫外(EUV)辐射和伴随辐射，所述源模块包括被配置以与所述EUV辐射的源协作的缓冲气体，所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率和对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。 | ||
| 地址 | 荷兰维德霍温 | ||